Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 813 ofert spośród 5 040 012 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolarny; 55V; 80A; Idm: 320A (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 55V Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzacja...
ST Microelectronics
STB140NF55T4
od PLN 4,15*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 61 A Uce 1200 V 2 Obudowa 180AJ (bez Pb i bez Halide) styki lutownicze 186 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 61 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 2
onsemi
NXH100B120H3Q0SG
od PLN 234,383*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 20A; Idm: 69A; 90W (2 ofert) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 108mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 90W Polar...
Microchip Technology
MSC090SMA070B
od PLN 24,65*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 450 A Uce 1200 V 2 1,6 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 450 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 1,6 kW
Infineon
FF300R12KT4HOSA1
od PLN 503,661*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolarny; 60V; 12A; 78W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: PowerFLAT Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 78W Polary...
ST Microelectronics
STL20N6F7
od PLN 2,32*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 7 EASY2B kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = EASY2B Typ kanału = N
Infineon
FP50R12KT4PBPSA1
od PLN 4 242,06*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 8A; Idm: 28A; 78W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 78W Polar...
Microchip Technology
MSC360SMA120B
od PLN 23,97*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 840 A Uce 1700 V 1 3,35 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 840 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 3,35 kW
Infineon
FZ600R17KE4HOSA1
od PLN 616,436*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolarny; 60V; 35A; 30W; ESD (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryzac...
ST Microelectronics
STP55NF06FP
od PLN 1,48*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 65 A Uce 600 V 7 175 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 65 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 175 W
Infineon
FP50R06W2E3BOMA1
od PLN 121,996*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 26A; Idm: 93A; 130W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 130W Polaryz...
Microchip Technology
MSC060SMA070S
od PLN 40,22*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 450 A Uce 1200 V 2 ECONOD Dwa kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Moduł Infineon EconoDual Dual IGBT z technologią TRENCHSTOP IGBT4, która ma napięcie emitera kolektora 1200 V. Jest on stosowany w sterowaniu silnikiem i napędza, przemienniku mocy i falowniku turb...
Infineon
IFF450B12ME4PB11BPSA1
od PLN 677,924*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolarny; 100V; 18A; 85W (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 85W Polaryza...
ST Microelectronics
STP24NF10
od PLN 1,283*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 2 62 mm Wspólny nadajnik kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 2 Konfiguracja = Emiter wspólny Typ kanału = N Li...
Infineon
FF600R12KE4EBOSA1
od PLN 7 678,67*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 90A; Idm: 240A; 542W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 542W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R20MT12K
od PLN 122,77*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   481   482   483   484   485   486   487   488   489   490   491   ..   1388   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.