Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 2 62 mm Wspólny nadajnik kanał: N 20 mW


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2184338
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FF600R12KE4EBOSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V
Liczba tranzystorów = 2
Konfiguracja = Emiter wspólny
Typ kanału = N
Liczba styków = 7
Konfiguracja tranzystora = Wspólny nadajnik
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
600 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
20V
Maksymalna strata mocy:
20 mW
Liczba tranzystorów:
2
Konfiguracja:
Emiter wspólny
Typ opakowania:
62 mm
Typ kanału:
N
Liczba styków:
7
Konfiguracja tranzystora:
Wspólny nadajnik
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2184338, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FF600R12KE4EBOSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 7 687,44*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 10 szt. (od PLN 768,744* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 8 027,65*
PLN 9 874,0095
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 7 981,70*
PLN 9 817,491
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 7 826,13*
PLN 9 626,1399
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 7 736,51*
PLN 9 515,9073
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 7 687,44*
PLN 9 455,5512
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.