Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 896 ofert spośród 4 927 261 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Moduł IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 7 EASY2B kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Trójfazowy Infineon moduł IGBT z trójfazowym wejściem EasyPIM i technologią TRENCHSTOP IGBT4. Ma napięcie emitera kolektora 1200 V i prąd do przodu 50 A. Jest on używany w serwomotor i sterowanie s...
Infineon
FP50R12KT4PBPSA1
od PLN 474,968*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 43A; Idm: 160A; 438W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 438W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R45MT17D
od PLN 123,07*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 750 A Uce 1700 V 2 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 750 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FF750R17ME7DB11BPSA1
od PLN 1 173,571*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 27A; Idm: 80A; 241W (1 Oferta) 
Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 241W Polar...
BASiC SEMICONDUCTOR
B1M080120HC
od PLN 53,80*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 35 A Uce 650 V 6 DIP26 kanał: N (1 Oferta) 
MODUŁ on Semiconductor Transferred Power z substratem o niskiej rezystancji termicznej, zawierający obwód przetwornicy-inwertera-hamulca składający się z sześciu prostowników 35 A i 1600 V, sześciu...
onsemi
NXH35C120L2C2ESG
od PLN 289,772*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 50A; Idm: 140A; 333W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 333W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R40MT12K
od PLN 58,99*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 450 A Uce 600 V 2 122x62mm Dwa 1.69 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 450 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 1.69 kW Typ opakowania = 122x62mm Konfiguracja ...
Mitsubishi
CM450DX-13T300G
od PLN 651,28*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolarny; 200V; 1A; 3,3W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,3W Polaryzac...
ST Microelectronics
STN4NF20L
od PLN 0,98*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 50 Uce 1200 V 6 Moduł 3-fazy kanał: N (1 Oferta) 
Inteligentny moduł zasilania Mitsubishi Electric 1200V charakteryzuje się wysoką wydajnością i niezawodnością dzięki sześciu sterownikowi na moduł. Ma 50 A maksymalnego prądu stałego kolektora i w ...
Mitsubishi
PM50CG1B120300G
od PLN 8 325,93*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 48A; 520W; TO247-3 (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 70ns Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpra...
Wolfspeed
C2M0045170D
od PLN 360,36*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 820 A Uce 750 V 6 Moduł Sześciopak kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 820 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 750 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = Moduł Typ kanału = N Liczba sty...
Infineon
FS820R08A6P2BBPSA1
od PLN 1 884,468*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 29A; Idm: 80A; 207W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 207W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R75MT12K
od PLN 34,79*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 39 A Uce 1200 V 7 175 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 39 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Liczba tranzystorów = 7
Infineon
FP25R12W2T4BOMA1
od PLN 223,962*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 68A; Idm: 200A; 459W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO263-7 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 68A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 459W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R30MT12J
od PLN 77,10*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 7 EASY2B kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = EASY2B Typ kanału = N
Infineon
FP50R12KT4PBPSA1
od PLN 4 742,80*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   481   482   483   484   485   486   487   488   489   490   491   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.