| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2025680 Nr producenta: NXH35C120L2C2ESG EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | MODUŁ on Semiconductor Transferred Power z substratem o niskiej rezystancji termicznej, zawierający obwód przetwornicy-inwertera-hamulca składający się z sześciu prostowników 35 A i 1600 V, sześciu przetworników 35 A i 1200 V IGBT z diodą 35 hamulca i 1200 termistorem NTC.Niska rezystancja termiczna odległość 6 mm między sworzniem a radiatorem Styki lutowane Termistor Bez zawartości ołowiu Bez halogenów lub bez BFR Zgodność z RoHS Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Maksymalny ciągły prąd kolektora: | 35 A | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 650 V | Maksymalne napięcie bramka-emiter: | ±20.0V | Liczba tranzystorów: | 6 | Konfiguracja: | 3-fazowe | Typ opakowania: | DIP26 | Typ montażu: | Otwór przezierny | Typ kanału: | N |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |