Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł IGBT Ic 35 A Uce 650 V 6 DIP26 kanał: N


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2025680
Producent:
     onsemi
Nr producenta:
     NXH35C120L2C2ESG
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
MODUŁ on Semiconductor Transferred Power z substratem o niskiej rezystancji termicznej, zawierający obwód przetwornicy-inwertera-hamulca składający się z sześciu prostowników 35 A i 1600 V, sześciu przetworników 35 A i 1200 V IGBT z diodą 35 hamulca i 1200 termistorem NTC.Niska rezystancja termiczna odległość 6 mm między sworzniem a radiatorem Styki lutowane Termistor Bez zawartości ołowiu Bez halogenów lub bez BFR Zgodność z RoHS
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
35 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20.0V
Liczba tranzystorów:
6
Konfiguracja:
3-fazowe
Typ opakowania:
DIP26
Typ montażu:
Otwór przezierny
Typ kanału:
N
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2025680, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, onsemi, NXH35C120L2C2ESG
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 289,772*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 374,391*
PLN 460,501
za szt.
od 2 szt.
PLN 347,369*
PLN 427,264
za szt.
od 5 szt.
PLN 328,302*
PLN 403,811
za szt.
od 10 szt.
PLN 319,042*
PLN 392,422
za szt.
od 500 szt.
PLN 289,772*
PLN 356,42
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.