Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 68A; Idm: 200A; 459W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 68A; Idm: 200A; 459W
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 68A; Idm: 200A; 459W
Nr artykułu:
     8WVXN-G3R30MT12J
Producent:
     Genesic Semiconductor
Nr producenta:
     G3R30MT12J
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
Tranzystor polowy
Tranzystory polowe
Tranzystor unipolarny
Tranzystory unipolarne
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Montaż: SMD
Obudowa: TO263-7
Napięcie dren-źródło: 1,2kV
Prąd drenu: 68A
Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ
Typ tranzystora: N-MOSFET
Moc rozpraszana: 459W
Polaryzacja: unipolarny
Rodzaj opakowania: tuba
Właściwości elementów półprzewodnikowych: wyprowadzenie Kelvina
Ładunek bramki: 155nC
Technologia: SiC;G3R™
Rodzaj kanału: wzbogacany
Napięcie bramka-źródło: -5...15V
Prąd drenu w impulsie: 200A
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 77,13*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 103,26*
PLN 127,01
za szt.
od 2 szt.
PLN 99,90*
PLN 122,88
za szt.
od 5 szt.
PLN 89,58*
PLN 110,18
za szt.
od 10 szt.
PLN 88,52*
PLN 108,88
za szt.
od 20 szt.
PLN 84,90*
PLN 104,43
za szt.
od 3000 szt.
PLN 77,13*
PLN 94,87
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.