Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 898 ofert spośród 4 927 662 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 80V; 3,6A; 2W; SO8 (3 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 3,6A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolk...
Infineon
IRF7380TRPBF
od PLN 1,711*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 60 A Uce 650 V PG-TO247-3 176 W (1 Oferta) 
Dwubiegunowy tranzystor izolowany bramką Infineon z monolityczną diodą korpusu z przełączaniem dźwiękochłonnym.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłó...
Infineon
IHW30N65R5XKSA1
od PLN 7,658*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 8A; 1W; DFN6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN6 Struktura półprzewodnika: wspólny dren Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 8A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1W Pol...
Alpha & Omega Semiconductor
AON5820
od PLN 1,19*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 62 A Uce 650 V 1 PG-TO220 Pojedynczy kanał: N 188 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 62 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-TO220 Typ kanału = N Liczba s...
Infineon
IKP39N65ES5XKSA1
od PLN 441,38*
za 50 szt.
 
 opakowanie
IGBT Ic 6,5 A Uce 600 V 1 PG-TO252 Pojedynczy kanał: N 53.6 W (1 Oferta) 
Infineon IKD03N60RF jest bardziej niezawodny ze względu na monolitycznie zintegrowany IGBT i diodę ze względu na mniejsze cykle termiczne podczas przełączania. Charakteryzuje się płynnym przełączan...
Infineon
IKD03N60RFATMA1
od PLN 2,336*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 0,89A; 0,53W; SOT563 (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 0,89A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,53W P...
Diodes
DMG1024UV-7
od PLN 0,421*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 2 AG-PRIME2 3,35 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 2 Typ opakowania = AG-PRIME2 Typ montażu = Monta...
Infineon
FF600R12IE4BOSA1
od PLN 5 474,235*
za 3 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolarny; 100V; 16,5A; 6,2W (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: IPAK Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 16,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 6,2W...
Alpha & Omega Semiconductor
AOY66923
od PLN 1,64*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 2 AG-PRIME2 3,35 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 3,35 kW Typ opakowania = AG-PRIME2 Typ montaż...
Infineon
FF600R12IE4BOSA1
od PLN 2 076,36*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 0,1A; 0,3W; SOT363 (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,3W Polaryzacja: unipo...
Toshiba
SSM6N15AFU,LF(T
od PLN 1,09*
za 5 szt.
 
 opakowanie
IGBT Ic 65 A Uce 600 V 1 TO-247GE 148 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 65 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 148 W Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL80TS60DGC13
od PLN 7 140,084*
za 600 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 7,5A; Idm: 20A; 1,6W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 7,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,6W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FDS6911
od PLN 2,74*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 60 A Uce 1200 V 1 PG-TO247 Pojedynczy kanał: N 330 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 60 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 25V Maksymalna strata mocy = 330 W Typ opakowania = PG-TO247 Typ kanału = N ...
Infineon
IHW30N120R5XKSA1
od PLN 7,567*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 10A; 1W; DFN2x5 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN2x5 Struktura półprzewodnika: wspólny dren Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,5mΩ Typ tran...
Alpha & Omega Semiconductor
AON5816
od PLN 1,34*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 600 A Uce 1200 V AG-62MM Wspólny nadajnik kanał: N 1,2 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 1,2 kW Typ opakowania = AG-62MM Typ kanału = N...
Infineon
FF600R12KE4BOSA1
od PLN 796,513*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   411   412   413   414   415   416   417   418   419   420   421   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.