Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 821 ofert spośród 5 017 986 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 2 AG-PRIME2 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = AG-PRIME2 Typ montażu ...
Infineon
FF600R12IP4BOSA1
od PLN 1 693,507*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolarny; 100V; 22,5A; 8,3W (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 22,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 8,...
Alpha & Omega Semiconductor
AOT66920L
od PLN 2,86*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 74 A Uce 650 V PG-TO247-3 250 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 74 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 250 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Liczb...
Infineon
AIKW40N65DF5XKSA1
od PLN 13,524*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 9A; 1,3W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,3W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4838
od PLN 1,81*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 71 A Uce 650 V 1 TO-247GE 202 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 71 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 202 W Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS80TS65DGC13
od PLN 6 904,044*
za 600 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 23/30A; 12,5/18W; DFN5x6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Struktura półprzewodnika: asymetryczna Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 23/30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14,4/11,7mΩ...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6906A
od PLN 1,53*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 62 A Uce 650 V 1 PG-TO220 Pojedynczy kanał: N 188 W (1 Oferta) 
Model Infineon IKP39N65ES5 charakteryzuje się najwyższą gęstością mocy w ZAKRESIE DO-220 i nie wymaga stosowania elementów mocujących bramkę. W tej miękkiej charakterystyki spadku prądu bez prądu o...
Infineon
IKP39N65ES5XKSA1
od PLN 8,951*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 55/85A; 9,6/20W; DFN5x6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Struktura półprzewodnika: asymetryczna Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 55/85A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5/1,4mΩ Typ...
Alpha & Omega Semiconductor
AOE6932
od PLN 3,51*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FF600R12ME4WB73BPSA1
od PLN 629,825*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolarny; 100V; 2A; 1,4W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,4W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AOSS62934
od PLN 1,82*
za 5 szt.
 
 opakowanie
IGBT Ic 74 A Uce 650 V PG-TO263-3 250 W (1 Oferta) 
Tranzystor bibiegunowy z szybką przełączaniem i izolowaną bramką Infineon o pełnym natężeniu prądu, wyposażony w szybką i miękką diodę antyrównoległą Rapid 1.Wysoka sprawność Niskie straty przy prz...
Infineon
IKB40N65EF5ATMA1
od PLN 12,024*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 400V; 0,45A; 2W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 400V Prąd drenu: 0,45A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FQS4901TF
od PLN 2,52*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 3,5A; 1,1W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 3,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,1W...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4862
od PLN 0,56*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 65 A Uce 600 V 1 TO-247GE 148 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 65 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 148 W Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL80TS60DGC13
od PLN 6,323*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 7,5A; 1,6W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 7,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,6W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FDS6910
od PLN 2,36*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   411   412   413   414   415   416   417   418   419   420   421   ..   1389   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.