Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 900 ofert spośród 4 918 878 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 5,6A; Idm: 40A; 2,6W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 5,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motoryza...
Diodes
DMN4031SSDQ-13
od PLN 0,94*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FS75R12N2T7B15BPSA2
od PLN 453,784*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolarny; 60V; 42A; Idm: 168A; 40W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 42A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryz...
SHINDENGEN
P42F6EN-5600
od PLN 1,72*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 79 A Uce 650 V PG-TO247-3 230 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 79 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 230 W Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IKW40N65ES5XKSA1
od PLN 13,178*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolarny; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: LF (MO235B similar) Napięcie dren-źródło: 120V Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 29mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 168W Pol...
SHINDENGEN
P25LF12SL-5071
od PLN 2,05*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 74 A Uce 650 V PG-TO220-3 250 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 74 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 250 W Typ opakowania = PG-TO220-3 Liczb...
Infineon
IGP40N65H5XKSA1
od PLN 8,061*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 50V; 0,25A; 0,31W; SOT363; ESD (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 50V Prąd drenu: 0,25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,31W Po...
Diodes
DMN53D0LDW-7
od PLN 0,189*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FP75R12N3T7BPSA1
od PLN 518,573*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mon...
Infineon
FP75R12N2T7B11BPSA1
od PLN 497,556*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolarny; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: FB (TO252AA) Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 44W Polaryzacja...
SHINDENGEN
P26B10SL-5071
od PLN 1,40*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 8 A Uce 1200 V 1 DO-247-3 Pojedynczy kanał: N 106 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 8 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 106 W Typ opakowania = DO-247-3 Typ montażu = O...
Infineon
IKW08N120CS7XKSA1
od PLN 13,123*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolarny; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 66A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 51W Polaryzac...
SHINDENGEN
P66F7R5SN-5600
od PLN 3,43*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 74 A Uce 650 V PG-TO247-3 250 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 74 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 250 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Liczb...
Infineon
AIGW40N65H5XKSA1
od PLN 22,882*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,17A; 285mW; SC88; ESD (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SC88 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 285mW Polaryzacja: uni...
Toshiba
SSM6N7002CFU,LF(T
od PLN 0,155*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 6 kanał: N 280 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 280 W Konfiguracja = Emiter wspólny Typ montaż...
Infineon
FS50R12KT3BPSA1
od PLN 427,872*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   411   412   413   414   415   416   417   418   419   420   421   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.