Tranzystor kup korzystnie w Mercateo (strona 419/1 389)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolarny; 60V; 25A; Idm: 70A; 35W (1 Oferta)

Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: FB (TO252AA) Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 29mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35W Polaryzacja:...

SHINDENGEN

P25B6EB-5071

od PLN 1,09*
za szt.

IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW

Infineon

FP75R12N3T7BPSA1

od PLN 471,743*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,3A; 285mW; SC88; ESD (2 ofert)

Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SC88 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 285mW Polaryzacja: uni...

Toshiba

SSM6N7002KFU,LF(T

od PLN 0,53*
za 5 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 5A; 8W; DFN3x3 DUAL (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN3x3 DUAL Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana...

Alpha & Omega Semiconductor

AON7810

od PLN 1,63*
za szt.

IGBT Ic 7,5 A Uce 600 V 1 PG-SOT223-3 6,8 W (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 7,5 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-SOT223-3

Infineon

IKN04N60RC2ATMA1

od PLN 0,879*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,295A; 0,25W; ESD (2 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SC70-6;SOT363;SC88 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,295A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,25W Po...

onsemi

NTJD5121NT1G

od PLN 0,217*
za szt.

IGBT Ic 68 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 291 W (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 68 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 291 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = ...

Vishay

VS-GT55LA120UX

od PLN 1 105,67*
za 10 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolarny; 60V; 34A; Idm: 136A; 35W (1 Oferta)

Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 34A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35W Polaryza...

SHINDENGEN

P34F6EL-5600

od PLN 1,99*
za szt.

IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 7 kanał: N 20 mW (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Konfiguracja = Emiter wspólny Typ montaż...

Infineon

FP75R12N2T7BPSA2

od PLN 393,711*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 2,1A; Idm: 12A; 1,5W; SO8 (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 2,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motoryza...

Diodes

DMN6070SSDQ-13

od PLN 0,83*
za szt.

IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW

Infineon

FP75R12N3T7B11BPSA1

od PLN 5 646,40*
za 10 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 67/31A; 18/8W; DFN5x6D (1 Oferta)

Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: ALPHA & OMEGA SEMICO...

Alpha & Omega Semiconductor

AON6992

od PLN 2,06*
za szt.

IGBT Ic 70 A Uce 650 V 1 TO-247GE 234 W (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 70 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 234 W Typ opakowania = TO-247GE

ROHM Semiconductor

RGTH80TS65DGC13

od PLN 14,395*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,35A; 0,32W; SOT363; ESD (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,32W Po...

Diodes

DMN61D9UDW-7

od PLN 1,05*
za 5 szt.

IGBT Ic 7,5 A Uce 600 V 1 PG-SOT223-3 6,8 W (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 7,5 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-SOT223-3

Infineon

IKN04N60RC2ATMA1

od PLN 2 645,22*
za 3 000 szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 411 412 413 414 415 416 417 418 419 420 421 .. 1389 Dalej

Tranzystor (20 821 ofert spośród 5 017 986 artykułów)

"Tranzystor"