Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 898 ofert spośród 4 927 662 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 25V; 0,22A; 0,3W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SC70-6;SOT363;SC88 Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 0,22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,3W Polary...
onsemi
FDG6301N
od PLN 0,76*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 74 A Uce 650 V PG-TO220-3 250 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 74 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 250 W Typ opakowania = PG-TO220-3 Liczb...
Infineon
IKP40N65H5XKSA1
od PLN 6,114*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolarny; 100V; 8A; Idm: 24A; 20W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: FB (TO252AA) Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 94mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 20W Polaryzacja:...
SHINDENGEN
P8B10SB-5071
od PLN 0,89*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 67/31A; 18/8W; DFN5x6D (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: ALPHA & OMEGA SEMICO...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6992
od PLN 2,06*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 74 A Uce 650 V PG-TO220-3 250 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 74 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 250 W Typ opakowania = PG-TO220-3 Liczb...
Infineon
IGP40N65H5XKSA1
od PLN 8,041*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 4,9A; 2W; SO8 (3 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 4,9A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolk...
Infineon
IRF7303TRPBF
od PLN 0,94*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 65 A Uce 650 V PG-TO247-3 160 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 65 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 160 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Liczba styków...
Infineon
IHW30N65R6XKSA1
od PLN 7,525*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 25V; 0,68A; 0,9W; SuperSOT-6 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SuperSOT-6 Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 0,68A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,9W Polaryzacja:...
onsemi
FDC6303N
od PLN 0,546*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 74 A Uce 650 V PG-TO247-3 250 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 74 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 250 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Liczb...
Infineon
AIKW40N65DF5XKSA1
od PLN 20,26*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolarny; 120V; 40A; Idm: 160A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: LF (MO235B similar) Napięcie dren-źródło: 120V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 217W P...
SHINDENGEN
P40LF12SL-5071
od PLN 2,68*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 7,5A; Idm: 49A; 1,6W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 7,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 29mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,6W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FDS8978
od PLN 1,47*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 74 A Uce 650 V PG-TO247-3 250 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 74 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 250 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Liczb...
Infineon
AIGW40N65H5XKSA1
od PLN 19,68*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 5,2A; 1,5W; SO8 (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 5,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,5W Polaryz...
Diodes
DMN3018SSD-13
od PLN 0,755*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 68 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 291 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 68 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza Typ montażu = Montaż...
Vishay
VS-GT55LA120UX
od PLN 128,144*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 0,75A; 0,36W (3 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SC70-6;SOT363;SC88 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,36W Pol...
onsemi
FDG8850NZ
od PLN 0,658*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   411   412   413   414   415   416   417   418   419   420   421   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.