Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 900 ofert spośród 4 918 878 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Ic 68 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 291 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 68 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 291 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = ...
Vishay
VS-GT55NA120UX
od PLN 128,174*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 3,6A; 1,2W; SO8 (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 3,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,2W Polaryz...
Diodes
DMN6070SSD-13
od PLN 0,685*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FP75R12N2T7PB11BPSA1
od PLN 470,681*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolarny; 100V; 16,5A; 6,2W (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: IPAK Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 16,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 6,2W...
Alpha & Omega Semiconductor
AOY66923
od PLN 1,65*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 65 A Uce 600 V 1 TO-247GE 148 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 65 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 148 W Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL80TS60DGC13
PLN 12,42*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 35/67A; 9,6/15W; DFN5x6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Struktura półprzewodnika: asymetryczna Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 35/67A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5/2mΩ Typ t...
Alpha & Omega Semiconductor
AOE6936
od PLN 2,86*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 70 A Uce 650 V 1 TO-247GE 234 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 70 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 234 W Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGTH80TS65DGC13
od PLN 14,395*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 31/38A; 8,3/8,6W; DFN5x6 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: ALPHA & OMEGA SEMICO...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6996
od PLN 1,23*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 70 A Uce 650 V 1 TO-247-3-HCC Pojedynczy kanał: N 145 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 70 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 145 W Konfiguracja = Pojedyncza Typ montażu = O...
Infineon
IKWH70N65WR6XKSA1
od PLN 13,117*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 4,1A; Idm: 30A; 0,8W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 4,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motoryza...
Diodes
DMN6040SSDQ13
od PLN 0,69*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FP75R12N3T7BPSA1
od PLN 472,233*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolarny; 100V; 35,5A; 8,3W (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 35,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 8,...
Alpha & Omega Semiconductor
AOB66916L
od PLN 4,43*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 65 A Uce 650 V PG-TO247-3 160 W (1 Oferta) 
Infineon IHW30N65R6 to 650 V, 30 A IGBT z monolitycznie zintegrowaną diodą w PAKIECIE TO-247 z monolitycznie zintegrowaną diodą, zaprojektowana z myślą o spełnieniu wymagających wymagań zastosowań ...
Infineon
IHW30N65R6XKSA1
od PLN 6,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 5,5A; 2W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 5,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 68mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarn...
onsemi
FDS6930A
od PLN 1,04*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 70 Uce 650 V 1 TO-247GE 2.34 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 70 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 2.34 mW Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGT80TS65DGC13
od PLN 14,405*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   411   412   413   414   415   416   417   418   419   420   421   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.