Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 901 ofert spośród 4 927 648 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET x2; STripFET™ II; unipolarny; 20V; 5A; 1,6W (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: STMicroelectronics M...
ST Microelectronics
STS5DNF20V
od PLN 1,00*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247GE 174 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 174 W Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGTH50TS65GC13
od PLN 11,452*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; Polar3™; unipolarny; 500V; 30A; Idm: 150A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 320...
IXYS
MMIX2F60N50P3
od PLN 124,62*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 6A; 960mW; TSSOP8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSSOP8 Struktura półprzewodnika: wspólny dren Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mΩ Typ tranzy...
Alpha & Omega Semiconductor
AO8814
od PLN 1,19*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 55 Uce 650 V 1 TO-247GE 1.94 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 55 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 1.94 mW Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGT60TS65DGC13
od PLN 7,901*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 6A; 1,6W; SO8 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 28mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,6W Polaryzacja: unipolarn...
onsemi
FDS6912A
od PLN 1,194*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; Trench; unipolarny; 250V; 30A; Idm: 130A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 84ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodz...
IXYS
FMM50-025TF
od PLN 59,04*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 254 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 254 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGW00TS65DHRC11
od PLN 26,58*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; STripFET™ II; unipolarny; 60V; 3A; 2,5W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2,5W Polaryzacj...
ST Microelectronics
STS4DNF60L
od PLN 1,95*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 55 Uce 650 V 1 TO-247GE 1.94 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 55 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGT60TS65DGC13
od PLN 13,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 8A; 1W; DFN6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN6 Struktura półprzewodnika: wspólny dren Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 8A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1W Pol...
Alpha & Omega Semiconductor
AON5820
od PLN 1,19*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 6 A Uce 600 V 6 N2DIP-26L TYP Z Szereg 12,5 W (1 Oferta) 
STMicroelectronics STGIPQ4C60T-HZ SLLIMM nano - 2nd Series IPM, 3-fazowy falownik, 6 A, 600 V krótki obwód wzmocniony IGBT to najbardziej nowatorska konstrukcja, która składa się z układów scalonyc...
ST Microelectronics
STGIPQ4C60T-HZ
od PLN 34,491*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 7,6A; 1,4W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 7,6A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,4W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: ro...
Infineon
IRF7904TRPBF
od PLN 1,36*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 20V; 660mA; 270mW (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SC70 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 0,66A Rezystancja w stanie przewodzenia: 630µΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,27W Polaryzacja: uni...
Vishay
SI1902DL-T1-GE3
od PLN 0,97*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 254 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 254 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGW00TS65HRC11
od PLN 20,007*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   411   412   413   414   415   416   417   418   419   420   421   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.