Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 900 ofert spośród 4 918 878 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,215A; 0,3W; SOT363 (1 Oferta) 
Producent: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,215A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0...
Micro Commercial Components
2N7002DW-TP
od PLN 0,48*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 74 A Uce 650 V PG-TO220-3 250 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 74 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 250 W Typ opakowania = PG-TO220-3 Liczb...
Infineon
IKP40N65H5XKSA1
od PLN 6,10*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 4,4A; 3,7W; SO8 (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 4,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 52mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 3,7W Polaryzacja: unipola...
Vishay
SI4946BEY-T1-E3
od PLN 2,521*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 60 A Uce 650 V 30 TO-247-3L 238 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 60 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 238 W Typ opakowania = TO-247-3L
onsemi
FGHL40T65MQDT
od PLN 9,791*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 65 A Uce 600 V 1 TO-247GE 148 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 65 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 148 W Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL80TS60DGC13
od PLN 12,231*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 2,5A; 0,96W; SuperSOT-6 (3 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SuperSOT-6 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 2,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 152mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,96W Polaryzacja...
onsemi
FDC6561AN
od PLN 0,799*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 600 A Uce 1200 V AG-62MM Wspólny nadajnik kanał: N 1,2 kW (1 Oferta) 
Podwójny moduł IGBT Infineon 62 mm 1200 V, 600 A z diodą TRENCHSTOP™ IGBT4 i emiterem. Dostępne również w wariancie ze wspólnym emiterem: FF600R12KE4_E.Zgodność z RoHS 4 kV AC 1 min izolacji Pakiet...
Infineon
FF600R12KE4BOSA1
od PLN 742,874*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,3A; 285mW; SC88; ESD (2 ofert) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SC88 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 285mW Polaryzacja: uni...
Toshiba
SSM6N7002KFU,LF(T
od PLN 0,19*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 74 A Uce 650 V PG-TO247-3 250 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 74 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 250 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Liczb...
Infineon
AIKW40N65DF5XKSA1
od PLN 20,31*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 7,5A; 1,6W; SO8; ESD (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 7,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,...
Alpha & Omega Semiconductor
AOSD62666E
od PLN 1,17*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 2 AG-PRIME2 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = AG-PRIME2 Typ montażu ...
Infineon
FF600R12IP4BOSA1
od PLN 1 686,237*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 22/28A; 9,4/13W; DFN5x6B (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6B Struktura półprzewodnika: asymetryczna Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 22/28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,8/3,8mΩ ...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6980
od PLN 1,36*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 65 A Uce 650 V PG-TO247-3 160 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 65 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 160 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Liczba styków...
Infineon
IHW30N65R6XKSA1
od PLN 7,515*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 22/85A; 9,6/30W; DFN5x6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Struktura półprzewodnika: asymetryczna Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 22/85A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,3/0,83mΩ ...
Alpha & Omega Semiconductor
AOE6930
od PLN 4,44*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 65 A Uce 1200 V AG-EASY2B-711 (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 65 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = AG-EASY2B-711
Infineon
FS75R12W2T7B11BOMA1
od PLN 199,86*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   411   412   413   414   415   416   417   418   419   420   421   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.