Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 821 ofert spośród 5 017 986 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 5,2A; 0,85W; SOT26; ESD (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT26 Struktura półprzewodnika: wspólny dren Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 5,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Typ tranzystora: ...
Diodes
DMG6968UDM-7
od PLN 0,61*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 59 A Uce 650 V 1 SOT-227 kanał: N 163 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 59 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = Montaż n...
Vishay
VS-GT50LA65UF
od PLN 118,155*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 24V; 6A; 1,7W; DFN8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN8 Napięcie dren-źródło: 24V Prąd drenu: 6A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,7W Polaryzacja: unipolarny Cena jednostkowa...
Alpha & Omega Semiconductor
AON3818
od PLN 0,77*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 59 A Uce 650 V 1 SOT-227 kanał: N 163 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 59 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 163 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = M...
Vishay
VS-GT50LA65UF
od PLN 991,21*
za 10 szt.
 
 opakowanie
IGBT Ic 65 A Uce 1200 V AG-EASY2B-711 (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 65 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = AG-EASY2B-711
Infineon
FS75R12W2T7B11BOMA1
od PLN 208,591*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 22/85A; 9,6/30W; DFN5x6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Struktura półprzewodnika: asymetryczna Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 22/85A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,3/0,83mΩ ...
Alpha & Omega Semiconductor
AOE6930
od PLN 4,43*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 60 A Uce 650 V PG-TO247-3 176 W (1 Oferta) 
Dwubiegunowy tranzystor izolowany bramką Infineon z monolityczną diodą korpusu z przełączaniem dźwiękochłonnym.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłó...
Infineon
IHW30N65R5XKSA1
od PLN 4,274*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 5,5A; 2W; SO8 (3 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 5,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 62mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarn...
onsemi
FDS6930B
od PLN 0,814*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 6,5 A Uce 600 V 1 PG-TO252 Pojedynczy kanał: N 53.6 W (1 Oferta) 
Infineon IKD03N60RF jest bardziej niezawodny ze względu na monolitycznie zintegrowany IGBT i diodę ze względu na mniejsze cykle termiczne podczas przełączania. Charakteryzuje się płynnym przełączan...
Infineon
IKD03N60RFATMA1
od PLN 2,336*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 25V; 0,22A; 0,3W; SOT363; ESD (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 0,22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,3W Polar...
Diodes
DMG6301UDW-7
od PLN 0,91*
za 5 szt.
 
 opakowanie
IGBT Ic 65 A Uce 600 V 1 TO-247GE 148 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 65 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 148 W Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL80TS60GC13
od PLN 7 592,154*
za 600 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 28/32A; 12,5/14W; DFN5x6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Struktura półprzewodnika: asymetryczna Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 28/32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11/8,5mΩ Ty...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6926
od PLN 1,89*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 2 AG-PRIME2 3,35 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 3,35 kW Typ opakowania = AG-PRIME2 Typ montaż...
Infineon
FF600R12IE4BOSA1
od PLN 2 081,32*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 60 A Uce 1200 V 1 PG-TO247 Pojedynczy kanał: N 330 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 60 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 25V Maksymalna strata mocy = 330 W Typ opakowania = PG-TO247 Typ kanału = N ...
Infineon
IHW30N120R5XKSA1
od PLN 7,121*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 0,26A; 0,3W; SOT363; ESD (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża moto...
Diodes
DMN63D8LDWQ-7
od PLN 0,209*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   411   412   413   414   415   416   417   418   419   420   421   ..   1389   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.