| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2266093 Nr producenta: IKD03N60RFATMA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Infineon IKD03N60RF jest bardziej niezawodny ze względu na monolitycznie zintegrowany IGBT i diodę ze względu na mniejsze cykle termiczne podczas przełączania. Charakteryzuje się płynnym przełączaniem, co prowadzi do niskiego poziomu zakłóceń elektromagnetycznych, a jego zakres roboczy wynosi od 4 do 30 kHz.Bardzo ścisły rozkład parametrów Maksymalna temperatura połączenia 175°C. Możliwość zwarcia 5 μs Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Maksymalny ciągły prąd kolektora: | 6,5 A | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 600 V | Maksymalne napięcie bramka-emiter: | 20V | Maksymalna strata mocy: | 53.6 W | Liczba tranzystorów: | 1 | Konfiguracja: | Pojedyncza | Typ opakowania: | PG-TO252 | Typ kanału: | N | Liczba styków: | 3 | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |