| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2156639 Nr producenta: IHW30N65R5XKSA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dwubiegunowy tranzystor izolowany bramką Infineon z monolityczną diodą korpusu z przełączaniem dźwiękochłonnym.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłócenia elektromagnetyczne Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Maksymalny ciągły prąd kolektora: | 60 A | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 650 V | Maksymalne napięcie bramka-emiter: | ±20V | Maksymalna strata mocy: | 176 W | Typ opakowania: | PG-TO247-3 | Liczba styków: | 3 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |