Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 2 AG-PRIME2 3,35 kW


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2608889
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FF600R12IE4BOSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Liczba tranzystorów = 2
Typ opakowania = AG-PRIME2
Typ montażu = Montaż w obudowie
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
600 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
3,35 kW
Liczba tranzystorów:
2
Konfiguracja:
Podwójna
Typ opakowania:
AG-PRIME2
Typ montażu:
Montaż w obudowie
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2608889, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FF600R12IE4BOSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 5 474,235*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 3 szt. (od PLN 1 824,745* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 5 704,575*
PLN 7 016,62725
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 5 678,085*
PLN 6 984,04455
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 5 584,695*
PLN 6 869,17485
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 5 524,065*
PLN 6 794,59995
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 5 474,235*
PLN 6 733,30905
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.