Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystory mocy MOSFET, seria E, Kanał N, 800V, 17.4A, TO-247AC (3 ofert) Tranzystory mocy MOSFET, seria E, Typ=SIHG21N80AE-GE3, Ciągły prąd drenu (Id)=17.4 A, Czas narastania=38 ns, Czas opadania=76 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=71 ns, Czas opóźnienia włączenia=21 ns, ... |
|
od PLN 9,964*
za szt. |
| |
|
Infineon IKW50N120CS7XKSA1 |
od PLN 718,26*
za 30 szt. |
| |
Tranzystory mocy MOSFET, seria E, Kanał N, 800V, 2.9A, TO-252 (3 ofert) Tranzystory mocy MOSFET, seria E, Typ=SIHD2N80AE-GE3, Ciągły prąd drenu (Id)=2.9 A, Czas narastania=8 ns, Czas opadania=23 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=10 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns, Nap... |
|
od PLN 1,909*
za szt. |
| |
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-220FP 50 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-220FP Liczba styków = 3 |
ST Microelectronics STGF30H65DFB2 |
od PLN 4,76*
za szt. |
| |
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 100V; 75A; 300ns (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewod... |
|
od PLN 62,47*
za szt. |
| |
Tranzystory wysokonapięciowe, NPN, 500V, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystory wysokonapięciowe, Typ=STR1550, Ciągły prąd kolektora (Ic)=500 mA, Częstotliwość tranzytowa=-999, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=500 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=9 V, Napięcie kolektor... |
|
od PLN 1,05*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor RGWX5TS65EHRC11 |
od PLN 36,343*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 8,516*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,45*
za szt. |
| |
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 1 TO-247 kanał: N 398 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30V Maksymalna strata mocy = 398 W Typ opakowania = TO-247 Typ monta... |
Infineon IKW50N120CH7XKSA1 |
od PLN 22,797*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor QS5U12TR |
od PLN 0,72*
za szt. |
| |
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247 416 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 416 W Typ opakowania = TO-247 |
|
od PLN 11,489*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 1,97*
za 5 szt. |
| |
|
|
od PLN 10,306*
za szt. |
| |
Tranzystor JFET, N-kanałowy, 3-pinowy (2 ofert) Typ kanału = N Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu = 14mA Maksymalne napięcie bramka-źródło = -50 V Typ opakowania = S-MINI Liczba styków = 3 |
Toshiba 2SK209-GR(TE85L,F) |
od PLN 0,632*
za szt. |
| |
|
