Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 901 ofert spośród 4 927 648 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Ic 5,7 A Uce 600 V 1 PG-SOT223-3 6,3 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 5,7 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 6,3 W Typ opakowania = PG-SOT223-3
Infineon
IKN03N60RC2ATMA1
od PLN 3 023,19*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 18,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 115W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065080B3
od PLN 42,65*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-411 280 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalna strata mocy = 280 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411
Infineon
FP50R12KT4BPSA1
od PLN 7 251,638*
za 15 szt.
 
 paczka
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 25V; 8A; Idm: 50A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarny ...
Vishay
SI4228DY-T1-GE3
od PLN 1,70*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-EASY2B Wspólny nadajnik kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Moduł IGBT PIM PIM (Power zintegrowany Modules) Infineon EasyPIM™ 2B 1200 V, 50 A z trójfazowym prostownikiem PIM (Power zintegrowany Modules) z TRENCHSTOP™ IGBT7, 7 diodą ze sterowaniem emiterem, ...
Infineon
FP50R12W2T7B11BOMA1
od PLN 207,04*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 24V; 6A; 1,7W; DFN8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN8 Napięcie dren-źródło: 24V Prąd drenu: 6A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,7W Polaryzacja: unipolarny Ładunek bramki: ...
Alpha & Omega Semiconductor
AON3818
od PLN 0,75*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 D2PAK (TO-263) 167 W (2 ofert) 
Seria STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stanowi ewolucję zastrzeżonej przez firmę Advanced struktury bramkowania rowów. Wydajność serii HB2 jest zoptymalizowana pod względem przewodzenia, dzięki le...
ST Microelectronics
STGB30H65DFB2
od PLN 4,698*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 62A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 441W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065030T3S
od PLN 116,30*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 1 Długie przewody Max247 535 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 535 W Typ opakowania = Długie przewody Max247
ST Microelectronics
STGYA50H120DF2ST
od PLN 689,4501*
za 30 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 23A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065080T3S
od PLN 40,68*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-711 (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = AG-ECONO2B-711
Infineon
FP50R12N2T7BPSA2
od PLN 451,9942*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 100V; 2,7A; 31W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 2,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 176mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 31W Polaryzacja: unipol...
onsemi
FDS89161
od PLN 3,77*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-411 280 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalna strata mocy = 280 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411
Infineon
FP50R12KT4BPSA1
od PLN 437,705*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 25V; 0,22A; 0,3W; SOT363 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 0,22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,3W Polar...
Diodes
DMG6301UDW-7
od PLN 0,91*
za 5 szt.
 
 opakowanie
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247 167 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 167 W Typ opakowania = TO-247 Liczba styków = 3
ST Microelectronics
STGWA30H65DFB2
od PLN 7,113*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   401   402   403   404   405   406   407   408   409   410   411   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.