Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
|
ST Microelectronics STS4DNF60L |
od PLN 1,97*
za szt. |
| |
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, PNP, -45V, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BC807-25, Ciągły prąd kolektora (Ic)=-500 mA, Częstotliwość tranzytowa=80 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=-50 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=-5 V, Napięci... |
|
od PLN 0,132*
za szt. |
| |
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, PNP, -45V, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BC857B, Ciągły prąd kolektora (Ic)=-100 mA, Częstotliwość tranzytowa=100 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=-50 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=-5 V, Napięcie... |
|
od PLN 0,0918*
za szt. |
| |
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 D2PAK (TO-263) 167 W (2 ofert) Seria STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stanowi ewolucję zastrzeżonej przez firmę Advanced struktury bramkowania rowów. Wydajność serii HB2 jest zoptymalizowana pod względem przewodzenia, dzięki le... |
ST Microelectronics STGB30H65DFB2 |
od PLN 4,688*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor QS5U17TR |
od PLN 0,71*
za szt. |
| |
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, PNP, -60V, SOT-223 (1 Oferta) Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BCP52-16, Ciągły prąd kolektora (Ic)=-1 A, Częstotliwość tranzytowa=145 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=-60 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=-5 V, Napięcie ... |
|
od PLN 0,96*
za szt. |
| |
IGBT Ic 450 A Uce 1200 V CTI 2,4 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 450 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 2,4 kW Typ opakowania = CTI Typ montażu = Mon... |
Infineon FF450R12KE4EHOSA1 |
od PLN 680,122*
za szt. |
| |
|
Toshiba 2SK209-BL(TE85L,F) |
od PLN 0,83*
za szt. |
| |
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, PNP, -65V, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BC856B, Ciągły prąd kolektora (Ic)=-100 mA, Częstotliwość tranzytowa=100 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=-80 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=-5 V, Napięcie... |
|
od PLN 0,0918*
za szt. |
| |
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FS50R12N2T7B15BPSA2 |
od PLN 425,401*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 1,29*
za szt. |
| |
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, PNP, -80V, SOT-89 (1 Oferta) Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BCX53, Ciągły prąd kolektora (Ic)=-1 A, Częstotliwość tranzytowa=145 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=-100 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=-5 V, Napięcie ko... |
|
od PLN 1,14*
za szt. |
| |
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 D2PAK (TO-263) 167 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 167 W Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Liczba st... |
ST Microelectronics STGB30H65DFB2 |
od PLN 4,522*
za szt. |
| |
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 0,46W; SOT23; 10mA (1 Oferta) Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 10mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 18Ω Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,46W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma... |
|
od PLN 0,77*
za szt. |
| |
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247 167 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 167 W Typ opakowania = TO-247 Liczba styków = 3 |
ST Microelectronics STGWA30H65DFB2 |
od PLN 7,123*
za szt. |
| |
|
