Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 20 mW


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2539854
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FS50R12N2T7B15BPSA2
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V
Maksymalna strata mocy = 20 mW
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
50 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
20V
Maksymalna strata mocy:
20 mW
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2539854, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FS50R12N2T7B15BPSA2
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 426,531*
  
Cena obowiązuje od 7 500 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 15 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 15 szt.
PLN 444,481*
PLN 546,712
za szt.
od 30 szt.
PLN 442,941*
PLN 544,817
za szt.
od 75 szt.
PLN 434,981*
PLN 535,027
za szt.
od 150 szt.
PLN 429,951*
PLN 528,84
za szt.
od 7500 szt.
PLN 426,531*
PLN 524,633
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.