![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
Fotografia | | | | Zamów |
![](/p.gif) |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGWX5TS65DHRC11 |
od PLN 11 389,4235* za 450 szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,762* za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGWX5TS65DHRC11 |
od PLN 17,982* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3 062,76* za 4 000 szt. |
|
|
IGBT Ic 51 A Uce 650 V 1 TO-247GE 156 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 51 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 156 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWS60TS65DGC13 |
od PLN 6 237,972* za 600 szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,02* za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGWX5TS65HRC11 |
od PLN 27,292* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 20,97* za 20 szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGWX5TS65HRC11 |
od PLN 32,316* za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AON6996 |
od PLN 1,23* za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor QS5U13TR |
od PLN 0,44* za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 D2PAK (TO-263) 167 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Liczba styków = 3 |
ST Microelectronics STGB30H65DFB2 |
od PLN 4,522* za szt. |
|
|
Tranzystor JFET, N-kanałowy, 3-pinowy (2 ofert) Typ kanału = N Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu = 14mA Maksymalne napięcie bramka-źródło = -50 V Typ opakowania = S-MINI Liczba styków = 3 |
Toshiba 2SK209-GR(TE85L,F) |
od PLN 0,632* za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AON3814 |
od PLN 1,27* za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V PG-TO247-3 282 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 282 W Typ opakowania = PG-TO247-3 |
|
od PLN 11,616* za szt. |
|
|