Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 901 ofert spośród 4 927 648 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 348 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 348 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGWX5TS65DHRC11
od PLN 11 389,4235*
za 450 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 2,7A; 0,96W; SuperSOT-6 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SuperSOT-6 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 2,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 128mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,96W Polaryzacja...
onsemi
FDC6305N
od PLN 0,762*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 348 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór prz...
ROHM Semiconductor
RGWX5TS65DHRC11
od PLN 17,982*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 3,5A; 2W; SO8 (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 3,5A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolk...
Infineon
IRF9956TRPBF
od PLN 3 062,76*
za 4 000 szt.
 
 opakowanie
IGBT Ic 51 A Uce 650 V 1 TO-247GE 156 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 51 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 156 W Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS60TS65DGC13
od PLN 6 237,972*
za 600 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 35V; 2mA; 0,625W; TO92; Igt: 50mA (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: NTE Electronics Mont...
NTE Electronics
NTE469
od PLN 3,02*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 348 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 348 W Konfiguracja = Pojedyncza Typ montażu = O...
ROHM Semiconductor
RGWX5TS65HRC11
od PLN 27,292*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 3,5A; 2W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 3,5A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolk...
Infineon
IRF7101TRPBF
od PLN 20,97*
za 20 szt.
 
 opakowania
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 348 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 348 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGWX5TS65HRC11
od PLN 32,316*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 31/38A; 8,3/8,6W; DFN5x6 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: ALPHA & OMEGA SEMICO...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6996
od PLN 1,23*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; unipolarny; 30V; 2A; Idm: 8A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 0,9W...
ROHM Semiconductor
QS5U13TR
od PLN 0,44*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 D2PAK (TO-263) 167 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Liczba styków = 3
ST Microelectronics
STGB30H65DFB2
od PLN 4,522*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor JFET, N-kanałowy, 3-pinowy (2 ofert) 
Typ kanału = N Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu = 14mA Maksymalne napięcie bramka-źródło = -50 V Typ opakowania = S-MINI Liczba styków = 3
Toshiba
2SK209-GR(TE85L,F)
od PLN 0,632*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 5,3A; 1,6W; DFN8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN8 Struktura półprzewodnika: wspólny dren Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 5,3A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,6W...
Alpha & Omega Semiconductor
AON3814
od PLN 1,27*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 650 V PG-TO247-3 282 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 282 W Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65WR5XKSA1
od PLN 11,616*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   401   402   403   404   405   406   407   408   409   410   411   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.