Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 900 ofert spośród 4 918 878 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 0,84A; 0,53W; SOT563; ESD (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 0,84A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,53W Po...
Diodes
DMN2400UV-7
od PLN 0,277*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 650 V PG-TO247-3 282 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 282 W Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65WR5XKSA1
od PLN 11,656*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 12/14A; 9/10W; DFN3x3A (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN3x3A Struktura półprzewodnika: asymetryczna Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 12/14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10,2/7,7mΩ...
Alpha & Omega Semiconductor
AON7934
od PLN 0,93*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 60 A Uce 650 V 1 TO-247 108 W (2 ofert) 
Seria STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stanowi ewolucję zastrzeżonej przez firmę Advanced struktury bramkowania rowów. Wydajność serii HB2 jest zoptymalizowana pod względem przewodzenia, dzięki le...
ST Microelectronics
STGWA30IH65DF
od PLN 7,60*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 16A; 12,5W; DFN5x6; ESD (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Struktura półprzewodnika: wspólny dren Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,4mΩ Typ tran...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6810
od PLN 2,22*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 348 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 348 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGWX5TS65EHRC11
od PLN 30,394*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 0,7A; 190mW; SC70-6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SC70-6 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 0,7A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,19W Polaryzacja: unipolarny Cena jednos...
Alpha & Omega Semiconductor
AO7800
od PLN 0,30*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 53 A Uce 600 V PG-TO247-3-AI Izolacja 141 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 53 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 141 W Typ opakowania = PG-TO247-3-AI Li...
Infineon
IKFW60N60DH3EXKSA1
od PLN 17,087*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 0,9A; 0,27W; SC70 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SC70 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 0,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,235Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,27W Polaryzacja: uni...
Vishay
SI1902CDL-T1-GE3
od PLN 0,47*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 51 A Uce 650 V 1 TO-247GE 156 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 51 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 156 W Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS60TS65GC13
od PLN 8,871*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 2,7A; 730mW; TSOP6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOP6 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 2,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,...
Alpha & Omega Semiconductor
AO6800
od PLN 0,33*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 60 A Uce 650 V 1 TO-247-3-HCC Pojedynczy kanał: N 120 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 60 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 120 W Typ opakowania = TO-247-3-HCC Typ montażu...
Infineon
IKWH60N65WR6XKSA1
od PLN 11,634*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 22/28A; 12/13W; DFN5x6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Struktura półprzewodnika: asymetryczna Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 22/28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,2/2,9mΩ T...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6934A
od PLN 1,43*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 30 TO-247 Pojedynczy kanał: N 268 W (1 Oferta) 
SYSTEM ON Semiconductor Field Stop Trench IGBT zapewnia optymalną wydajność zarówno w przypadku topologii z przełączaniem twardym, jak i miękkim w zastosowaniach motoryzacyjnych. Jest to samodzieln...
onsemi
AFGHL50T65SQ
od PLN 8,516*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 1,5A; 0,5W; TSOP6 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: TSOP6 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,5W Po...
Infineon
BSL214NH6327XTSA1
od PLN 0,45*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   401   402   403   404   405   406   407   408   409   410   411   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.