Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (21 187 ofert spośród 4 839 301 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, NPN, 45V, SOT-323 (1 Oferta) 
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BC847BW, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 mA, Częstotliwość tranzytowa=100 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=50 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=6 V, Napięcie k...
NXP
BC847BW
od PLN 0,0918*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 214 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 214 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGW80TS65HRC11
od PLN 18,267*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 47A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Pol...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065030B3
od PLN 139,53*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 5,7 A Uce 600 V 1 PG-SOT223-3 6,3 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 5,7 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 6,3 W Typ opakowania = PG-SOT223-3
Infineon
IKN03N60RC2ATMA1
od PLN 1,91*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 50V; 20mA; 0,25W; TO92; Igt: 10mA (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO92 Prąd bramki: 10mA Napięcie dren-źródło: 50V Prąd drenu: 20mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,25W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opako...
NTE Electronics
NTE458
od PLN 23,30*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mon...
Infineon
FP50R12N2T7BPSA1
od PLN 406,943*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; XPT™; 4,5kV; 40A; 660W; TO247HV (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247HV Napięcie kolektor-emiter: 4,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 350A Czas załączania: 786ns Czas wyłączani...
IXYS
IXYX40N450HV
od PLN 236,70*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-411 280 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 280 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411
Infineon
FP50R12KT4B11BPSA1
od PLN 481,8468*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 40 Uce 650 V 1 TO-247GE 1.44 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGT40TS65DGC13
od PLN 11,836*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 62A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 441W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065030T3S
od PLN 116,38*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, NPN, 50V, SC-59 (2 ofert) 
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BC847AE6327HTSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 mA, Częstotliwość tranzytowa=250 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=50 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=6 V, N...
Infineon
BC847AE6327HTSA1
od PLN 0,113*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 1 Długie przewody Max247 535 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = Długie przewody Max247
ST Microelectronics
STGYA50H120DF2ST
od PLN 23,145*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; unipolarny; 30V; 2A; Idm: 8A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 0,9W...
ROHM Semiconductor
QS5U13TR
od PLN 0,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, NPN, 65V, SOT-23 (1 Oferta) 
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BC846B, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 mA, Częstotliwość tranzytowa=100 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=80 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=6 V, Napięcie ko...
NXP
BC846B
od PLN 0,0917*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-411 280 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 280 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411
Infineon
FP50R12KT4B11BPSA1
od PLN 475,27*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   401   402   403   404   405   406   407   408   409   410   411   ..   1413   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.