Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 901 ofert spośród 4 927 648 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 254 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 254 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGW00TS65CHRC11
od PLN 39,509*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 1,5A; 0,5W; TSOP6 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: TSOP6 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,5W Po...
Infineon
BSL214NH6327XTSA1
od PLN 0,45*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 254 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 254 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGW00TS65CHRC11
od PLN 43,051*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 22/85A; 9,6/30W; DFN5x6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Struktura półprzewodnika: asymetryczna Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 22/85A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,3/0,83mΩ ...
Alpha & Omega Semiconductor
AOE6930
od PLN 4,42*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 348 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza Typ montażu = Otwór pr...
ROHM Semiconductor
RGWX5TS65EHRC11
od PLN 30,294*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 325mW; SOT23; 50mA (3 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 325mW Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Napięcie bramka-źródło: -40V
onsemi
MMBFJ202
od PLN 0,381*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-411 280 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 280 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411
Infineon
FP50R12KT4B11BPSA1
od PLN 473,27*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 254 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 254 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGW00TS65EHRC11
od PLN 23,072*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 10A; 2W; SO8 (3 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 10A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolka...
Infineon
IRF8910TRPBF
od PLN 1,401*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 254 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór prz...
ROHM Semiconductor
RGW00TS65EHRC11
od PLN 28,063*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 28/32A; 12,5/14W; DFN5x6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Struktura półprzewodnika: asymetryczna Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 28/32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11/8,5mΩ Ty...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6926
od PLN 1,85*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 30 TO-247 Pojedynczy kanał: N 268 W (1 Oferta) 
SYSTEM ON Semiconductor Field Stop Trench IGBT zapewnia optymalną wydajność zarówno w przypadku topologii z przełączaniem twardym, jak i miękkim w zastosowaniach motoryzacyjnych. Jest to samodzieln...
onsemi
AFGHL50T65SQ
od PLN 8,516*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 35V; 20mA; 0,625W; TO92; Igt: 50mA (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: NTE Electronics Mont...
NTE Electronics
NTE468
od PLN 4,21*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-411 280 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 280 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411
Infineon
FS50R12KT4B15BPSA1
od PLN 440,641*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 25V; 60mA; 0,35W; TO92; Igt: 10mA (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: NTE Electronics Mont...
NTE Electronics
NTE2902
od PLN 12,33*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   401   402   403   404   405   406   407   408   409   410   411   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.