![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
Fotografia | | | | Zamów |
![](/p.gif) |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW00TS65CHRC11 |
od PLN 39,509* za szt. |
|
|
|
Infineon BSL214NH6327XTSA1 |
od PLN 0,45* za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW00TS65CHRC11 |
od PLN 43,051* za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOE6930 |
od PLN 4,42* za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGWX5TS65EHRC11 |
od PLN 30,294* za szt. |
|
|
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 325mW; SOT23; 50mA (3 ofert) Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 325mW Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Napięcie bramka-źródło: -40V |
|
od PLN 0,381* za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-411 280 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 280 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411 |
Infineon FP50R12KT4B11BPSA1 |
od PLN 473,27* za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW00TS65EHRC11 |
od PLN 23,072* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,401* za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW00TS65EHRC11 |
od PLN 28,063* za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AON6926 |
od PLN 1,85* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 8,516* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 4,21* za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-411 280 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 280 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411 |
Infineon FS50R12KT4B15BPSA1 |
od PLN 440,641* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 12,33* za szt. |
|
|