Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 50 A Uce 650 V 30 TO-247 Pojedynczy kanał: N 268 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2025672
Producent:
     onsemi
Nr producenta:
     AFGHL50T65SQ
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
SYSTEM ON Semiconductor Field Stop Trench IGBT zapewnia optymalną wydajność zarówno w przypadku topologii z przełączaniem twardym, jak i miękkim w zastosowaniach motoryzacyjnych. Jest to samodzielny IGBT.Kwalifikacja AEC-Q101 Wysoka wydajność prądowa Szybkie przełączanie Ścisły rozkład parametrów Zgodność z RoHS
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
50 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±30.0V
Maksymalna strata mocy:
268 W
Liczba tranzystorów:
30
Typ opakowania:
TO-247
Typ kanału:
N
Liczba styków:
3
Konfiguracja tranzystora:
Pojedynczy
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2025672, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, onsemi, AFGHL50T65SQ
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 8,516*
  
Cena obowiązuje od 225 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 450 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 450 szt.
PLN 8,996*
PLN 11,065
za szt.
od 900 szt.
PLN 8,936*
PLN 10,991
za szt.
od 2250 szt.
PLN 8,766*
PLN 10,782
za szt.
od 4500 szt.
PLN 8,656*
PLN 10,647
za szt.
od 225000 szt.
PLN 8,516*
PLN 10,475
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.