Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 901 ofert spośród 4 927 648 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Ic 48 Uce 650 V 1 TO-247GE 1.74 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 48 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGT50TS65DGC13
od PLN 12,518*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; XPT™; 4,5kV; 17A; 230W; ISOPLUS i4-pac™ x024c (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024c Napięcie kolektor-emiter: 4,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 17A Prąd kolektora w impulsie: 190A Czas załączania: 632ns ...
IXYS
IXYF30N450
od PLN 461,60*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mon...
Infineon
FP50R12N2T7B11BPSA1
od PLN 334,792*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolarny; 30V; 6,2A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: DFN2020-6 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 6,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Pola...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJQ3400A
od PLN 1,01*
za 5 szt.
 
 opakowania
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FS50R12N2T7B15BPSA2
od PLN 414,802*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 6,5A; 2W; SO8 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 6,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarn...
onsemi
FDS9926A
od PLN 1,011*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-411 280 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 280 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411
Infineon
FS50R12KT4B15BPSA1
od PLN 452,3242*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 429W ...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C120040K3S
od PLN 109,58*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 5 A Uce 600 V 1 TO-252 82 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 5 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 82 W Typ opakowania = TO-252
Bourns
BIDD05N60T
od PLN 3,169*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET x2; unipolarny; 50V; 8mA; 0,25W; TO71; Igt: 30mA (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: NTE Electronics Mont...
NTE Electronics
NTE461
od PLN 24,42*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-EASY2B Wspólny nadajnik kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = AG-EASY2B Typ kanału = N...
Infineon
FP50R12W2T7B11BOMA1
od PLN 3 215,22*
za 15 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2; Trench; unipolarny; 60V; 0,24A; Idm: 1,2A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT666 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,525W Polaryzacja: u...
Nexperia
2N7002BKV,115
od PLN 0,46*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mon...
Infineon
FP50R12N2T7B11BPSA1
od PLN 320,781*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 9,4A; 2W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 9,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 21mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarn...
onsemi
FDS6898A
od PLN 2,26*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 40A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 42mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 326W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UF3C065040K3S
od PLN 143,25*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   401   402   403   404   405   406   407   408   409   410   411   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.