Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (21 187 ofert spośród 4 839 257 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 23A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UF3C065080K4S
od PLN 94,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, NPN, 65V, TO-92 (3 ofert) 
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BC546CTA, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 mA, Częstotliwość tranzytowa=150 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=80 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=6 V, Napięcie ...
onsemi
BC546CTA
od PLN 0,195*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-411 280 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 280 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411
Infineon
FS50R12KT4B15BPSA1
od PLN 452,5642*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 35V; 2mA; 0,625W; TO92; Igt: 50mA (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO92 Prąd bramki: 50mA Napięcie dren-źródło: 35V Prąd drenu: 2mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,625W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opako...
NTE Electronics
NTE469
od PLN 3,05*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, NPN, 80V, SOT-223 (1 Oferta) 
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BCP56-10, Ciągły prąd kolektora (Ic)=1 A, Częstotliwość tranzytowa=180 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=100 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=5 V, Napięcie ko...
NXP
BCP56-10
od PLN 0,57*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 41 A Uce 300 V DPAK (TO-252) Pojedynczy kanał: N 150 W (1 Oferta) 
AEC-Q101. Podane wartości znamionowe dotyczą temperatury połączenia Tc = +110°C. Zapłon motoryzacyjny IGBT, firma Fairchild Semiconductor. Te urządzenia EcoSPARK IGBT zostały zoptymalizowane pod ką...
onsemi
FGD3040G2_F085
od PLN 9 773,90*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, NPN, 80V, SOT-89 (1 Oferta) 
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BCX56-16, Ciągły prąd kolektora (Ic)=1 A, Częstotliwość tranzytowa=180 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=100 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=5 V, Napięcie ko...
NXP
BCX56-16
od PLN 0,78*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 1 TO-247N 395 W (1 Oferta) 
Układ ROHM z ogranicznikiem polowym IGBT używany głównie w układzie PFC, UPS, IH i układzie kondycjonera mocy. Rozpraszanie mocy wynosi 395 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wy...
ROHM Semiconductor
RGS50TSX2GC11
od PLN 20,674*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; Polar3™; unipolarny; 500V; 30A; Idm: 150A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 320...
IXYS
MMIX2F60N50P3
od PLN 124,66*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-411 280 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 280 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411
Infineon
FS50R12KT4B15BPSA1
od PLN 441,731*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 62A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 441W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065030K3S
od PLN 113,25*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 6,5mA; 0,1W; SC59; Igt: 10mA (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SC59 Prąd bramki: 10mA Prąd drenu: 6,5mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,1W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Napięcie bramka...
Toshiba
2SK208-GR(TE85L,F)
od PLN 0,75*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, PNP, -45V, SOT-23 (1 Oferta) 
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BC857C, Ciągły prąd kolektora (Ic)=-100 mA, Częstotliwość tranzytowa=100 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=-50 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=-5 V, Napięcie...
NXP
BC857C
od PLN 0,132*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, PNP, -45V, SOT-23 (1 Oferta) 
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BC807-40, Ciągły prąd kolektora (Ic)=-500 mA, Częstotliwość tranzytowa=80 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=-50 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=-5 V, Napięci...
NXP
BC807-40
od PLN 0,132*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FP50R12N2T7PB11BPSA1
od PLN 476,484*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   401   402   403   404   405   406   407   408   409   410   411   ..   1413   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.