Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2326711
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FP50R12N2T7B11BPSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 20 mW
Typ opakowania = Moduł
Typ montażu = Montaż w obudowie
Typ kanału = N
Liczba styków = 23
Konfiguracja tranzystora = 3-fazy
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
50 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
20 mW
Liczba tranzystorów:
7
Konfiguracja:
3-fazowe
Typ opakowania:
Moduł
Typ montażu:
Montaż w obudowie
Typ kanału:
N
Liczba styków:
23
Konfiguracja tranzystora:
3-fazy
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2326711, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FP50R12N2T7B11BPSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 305,542*
  
Cena obowiązuje od 5 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 10 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 10 szt.
PLN 341,338*
PLN 419,846
za szt.
od 20 szt.
PLN 321,402*
PLN 395,324
za szt.
od 50 szt.
PLN 316,962*
PLN 389,863
za szt.
od 100 szt.
PLN 312,432*
PLN 384,291
za szt.
od 5000 szt.
PLN 305,542*
PLN 375,817
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.