Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 40 Uce 650 V 1 TO-247GE 1.44 mW


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2463946
Producent:
     ROHM Semiconductor
Nr producenta:
     RGT40TS65DGC13
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V
Liczba tranzystorów = 1
Typ opakowania = TO-247GE
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
40
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±30V
Maksymalna strata mocy:
1.44 mW
Liczba tranzystorów:
1
Konfiguracja:
Pojedyncza
Typ opakowania:
TO-247GE
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2463946, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, ROHM, RGT40TS65DGC13
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 11,816*
  
Cena obowiązuje od 300 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 600 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 600 szt.
PLN 12,256*
PLN 15,075
za szt.
od 1200 szt.
PLN 12,196*
PLN 15,001
za szt.
od 3000 szt.
PLN 11,996*
PLN 14,755
za szt.
od 6000 szt.
PLN 11,886*
PLN 14,62
za szt.
od 300000 szt.
PLN 11,816*
PLN 14,534
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.