Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 51 A Uce 650 V 1 TO-247GE 156 W


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2412303
Producent:
     ROHM Semiconductor
Nr producenta:
     RGWS60TS65DGC13
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 51 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V
Maksymalna strata mocy = 156 W
Typ opakowania = TO-247GE
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
51 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±30V
Maksymalna strata mocy:
156 W
Liczba tranzystorów:
1
Konfiguracja:
Pojedynczy kolektor, pojedynczy emiter, pojedyncza bramka
Typ opakowania:
TO-247GE
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, 2412303, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, ROHM, RGWS60TS65DGC13
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 6 253,044*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 600 szt. (od PLN 10,42174* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 6 402,03*
PLN 7 874,4969
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 6 387,804*
PLN 7 856,99892
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 6 313,044*
PLN 7 765,04412
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 6 265,11*
PLN 7 706,0853
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 6 253,044*
PLN 7 691,24412
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.