Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247 416 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2533508
Producent:
     Bourns
Nr producenta:
     BIDW50N65T
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 416 W
Typ opakowania = TO-247
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
50 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
416 W
Liczba tranzystorów:
1
Konfiguracja:
Dioda pojedyncza
Typ opakowania:
TO-247
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2533508, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Bourns, BIDW50N65T
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 11,489*
  
Cena obowiązuje od 300 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 600 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 600 szt.
PLN 11,909*
PLN 14,648
za szt.
od 1200 szt.
PLN 11,869*
PLN 14,599
za szt.
od 3000 szt.
PLN 11,679*
PLN 14,365
za szt.
od 6000 szt.
PLN 11,559*
PLN 14,218
za szt.
od 300000 szt.
PLN 11,489*
PLN 14,131
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.