Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (22 965 ofert spośród 4 920 334 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 22 A PQFN8 80 V SMD Pojedynczy 57 W 6,8 milioma (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 22 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PQFN8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źr...
onsemi
FDMC007N08LCDC
od PLN 4,785*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 74A; Idm: 296A; 403W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 74A Rezystancja w stanie przewodzenia: 34mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 403W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M34BFLLG
od PLN 56,97*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 224 A DFN8 5 x 6 60 V SMD Pojedynczy 166 W 2,3 milioma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 224 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = DFN8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja d...
onsemi
NVMFSC1D6N06CL
od PLN 18,504*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 212 A TSDSON-8 FL 25 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 212 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = TSDSON-8 FL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ukł...
Infineon
BSZ010NE2LS5ATMA1
od PLN 19,245*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 23 A TDSON 80 V SMD Pojedynczy 32 W 66 miliomów (1 Oferta) 
Infineon tranzystory zasilające MOSFET OptiMOS™3, 60-80. Produkty OptiMOS™ są dostępne w pakietach o wysokiej wydajności, które pozwalają sprostać najbardziej wymagającym zastosowaniom, zapewniając...
Infineon
BSC340N08NS3GATMA1
od PLN 3,705*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 2,1A; 0,46W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 2,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 57mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,46W Polaryzacja: unipola...
Vishay
SI2302CDS-T1-GE3
od PLN 0,71*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 22 A TO-220 80 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 22 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = IPP040N08NF2S Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalne napięcie progowe VGS = 3....
Infineon
IPP040N08NF2SAKMA1
od PLN 3,743*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 75A; 125W; D2PAK,TO263 (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;TO263 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: un...
Vishay
SUM90140E-GE3
od PLN 5,022*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 225 A SO-8 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 225 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
Vishay
SIRS5100DP-T1-GE3
od PLN 10,322*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 1,3A; Idm: 8A; SC70,SOT323 (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SC70;SOT323 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 1,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 96mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opak...
Nexperia
PMF63UNEX
od PLN 0,41*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 214 A PowerPAK 1212-8SLW 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 214 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8SLW Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SQS140ENW-T1_GE3
od PLN 1,646*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 4,2A; 0,5W; UF6; ESD (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: UF6 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 4,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 66mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,5W Polaryzacja: unipolarn...
Toshiba
SSM6K403TU,LF(T
od PLN 0,59*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 23 A TO-220FM 600 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 23 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-220FM Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Li...
ROHM Semiconductor
R6055VNXC7G
od PLN 13,777*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 2,2A; Idm: 12A; 1,1W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 2,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża motoryza...
Diodes
DMG2302UKQ-7
od PLN 0,74*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 22 A TO-247 700 V 0,11 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 22 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,1...
Infineon
IPW65R110CFD7XKSA1
od PLN 11,233*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   691   692   693   694   695   696   697   698   699   700   701   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.