Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (22 965 ofert spośród 4 920 325 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 0,66A; Idm: 1A; 0,14W; SC70 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SC70 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 0,66A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,385Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,14W Polaryzacja: unipo...
Vishay
SI1902DL-T1-E3
od PLN 0,92*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A DPAK (TO-252) 150 V SMD 0.053 Ω (1 Oferta) 
Ten tranzystor MOSFET Infineon OptiMOS 3 idealnie nadaje się do przełączania wysokiej częstotliwości i synchronicznego prostowania. Jest on zakwalifikowany zgodnie z JEDEC do zastosowania doceloweg...
Infineon
IPD530N15N3GATMA1
od PLN 12,49*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 22 A TO-220 700 V 0,11 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 22 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,1...
Infineon
IPP65R110CFD7XKSA1
od PLN 13,151*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 mA SOT-23 600 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = BSS127I Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Wyczerpanie Maksyma...
Infineon
BSS127IXTSA1
od PLN 0,82*
za 5 szt.
 
 opakowania
Infineon
IRFH5020TRPBF
od PLN 14 873,72*
za 4 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 22 A DFN2020 20 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 22 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = DFN2020 Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
IRLHS6242TRPBF
od PLN 0,626*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A LFPAK, SOT-669 60 V SMD Pojedynczy 24 W 43 miliomy (1 Oferta) 
Motoryzacyjny układ Power MOSFET w obudowie DPAK z płaskimi wyprowadzeniami zaprojektowanej do kompaktowych i efektywnych konstrukcji i zapewniającej wysokie parametry termiczne. Tranzystory MOSFET...
onsemi
NVMYS025N06CLTWG
od PLN 3 691,05*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 1,01A; Idm: 11A; 550mW; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 1,01A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,36Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,55W Polar...
Diodes
DMN2300U-7
od PLN 0,52*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 22 A TO-220AB 650 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 22 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Li...
Vishay
SIHP150N60E-GE3
od PLN 12,663*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21,2 A PowerDI3333-8 40 V SMD 0.02 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = DMT Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0....
Diodes
DMT4015LDV-7
od PLN 1 852,78*
za 2 000 szt.
 
 opakowanie
Infineon
IPP60R099C7XKSA1
od PLN 16,161*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A PowerPAK 10 x 12 650 V Montaż na płytce drukowanej (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = PowerPAK 10 x 12 Typ montażu = Montaż na płytce drukowanej Liczba styków = 8 Tryb kanałow...
Vishay
SIHK125N60EF-T1GE3
od PLN 9,845*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 22 A TO-247N 1200 V 0.16 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 22 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źró...
ROHM Semiconductor
SCT2160KEGC11
od PLN 56,763*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 0,18A; 0,35W; X1-DFN1006-3 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: X1-DFN1006-3 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 0,18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,35W P...
Diodes
DMN26D0UFB4-7
od PLN 0,645*
za 5 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 210 A D2PAK (TO-263) 55 V SMD 3.3 MO (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 210 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
Infineon
IRF3805STRLPBF
od PLN 6 904,352*
za 800 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   691   692   693   694   695   696   697   698   699   700   701   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.