Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (22 965 ofert spośród 4 920 325 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 21 A ThinPAK 8 x 8 650 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = ThinPAK 8 x 8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Liczba elementów na u...
Infineon
IPL65R130CFD7AUMA1
od PLN 41,65*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 215 A PowerDI5060-8 60 V SMD 0.0016 O. (1 Oferta) 
Seria DiodesZetex DMTH61M8SPQ to N-kanałowy system MOSFET zaprojektowany z myślą o spełnieniu surowych wymagań w zakresie zastosowań motoryzacyjnych. Jest on stosowany w systemach sterowania silnik...
Diodes
DMTH61M8SPSQ-13
od PLN 8,099*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 0,44A; 0,45W; X1-DFN1006-3 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: DIODES INCORPORATED ...
Diodes
DMN2005LPK-7
od PLN 0,35*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A D2PAK (TO-263) 800 V SMD 0.184 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystanc...
Vishay
SIHB24N80AE-GE3
od PLN 7,873*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 0,35A; 0,08W; SC75A; ESD (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SC75A Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 0,35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 80mW Polaryzacja: unipola...
Vishay
SI1012R-T1-GE3
od PLN 0,86*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 22 A D2PAK (TO-263) 700 V SMD 0,11 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 22 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...
Infineon
IPB65R110CFD7ATMA1
od PLN 5,773*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 86A; 550W; TO3P; 140ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 86A Rezystancja w stanie przewodzenia: 33mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 550W Po...
IXYS
IXTQ86N20T
od PLN 14,29*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A TO-247AC 850 V 0.184 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.1...
Vishay
SIHG24N80AE-GE3
od PLN 9,94*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 217 mA SOT-363 60 V SMD 6 O. (1 Oferta) 
Tryb wzmocnienia podwójnego kanału N DiodesZetex MOSFET został zaprojektowany tak, aby spełniać rygorystyczne wymagania aplikacji samochodowych. Urządzenie jest zgodne z normą AEC-Q101, obsługiwaną...
Diodes
DMN66D0LDWQ-7
od PLN 0,457*
za szt.
 
 szt.
Infineon
AUIRF7640S2TR
od PLN 1,872*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 22 A TO-220 650 V 0.099 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 22 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Infineon
IPP60R099C7XKSA1
od PLN 14,131*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 9,4A; 86W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 9,4A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 86W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolk...
Infineon
IRFR9N20DTRPBF
od PLN 2 927,82*
za 2 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 21 A TO-263-7 650 V SMD 120 MO (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = SCT Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 120...
ROHM Semiconductor
SCT3120AW7TL
od PLN 25 471,87*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 3A; Idm: 20A; 2,5W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 275mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryzacja: unipolarny...
onsemi
FDS2670
od PLN 3,90*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 22 A D2PAK (TO-263) 600 V SMD 99 m.Ω (1 Oferta) 
Seria MOSFET Infineon 600V CoolMOS™ C7 Superjunction (SJ) oferuje redukcję strat związanych z wyłączeniem o około 50% (E oss ) w porównaniu z CoolMOS™ CP, oferując znakomity poziom wydajności w prz...
Infineon
IPB60R099C7ATMA1
od PLN 7,113*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   691   692   693   694   695   696   697   698   699   700   701   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.