Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (22 882 ofert spośród 5 025 728 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 4,8A; Idm: 30A; 1,25W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 4,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,25W...
Micro Commercial Components
SI3420A-TP
od PLN 0,46*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 237 A HSOF-8 120 V SMD 0,003 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 237 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 120 V Seria = OptiMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Infineon
IPT030N12N3GATMA1
od PLN 9,032*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 5,4A; Idm: 22A; 0,8W; SOT23-3 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23-3 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 5,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 91mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,8W Polary...
Diodes
DMN2053U-13
od PLN 1,16*
za 5 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 248 A PowerPAK 8 x 8L 80 V SMD 0.0075 Ω (1 Oferta) 
Firma Vishay Siliconix utrzymuje dane dotyczące niezawodności technologii półprzewodników i niezawodności pakietów, co stanowi złożony materiał wszystkich wykwalifikowanych lokalizacji.Kwalifikacja...
Vishay
SQJ180EP-T1_GE3
od PLN 3,417*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 250V; 170A; 890W; TO264; 140ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 890W...
IXYS
IXFK170N25X3
od PLN 54,05*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 250V; 0,66A; Idm: 3,3A; 2,5W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 0,66A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryzacja: unip...
onsemi
FQT4N25TF
od PLN 1,11*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 225 A TO-247-4 1200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 225 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
IMZA120R007M1HXKSA1
od PLN 185,46*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 238 A TDSON-8 FL 40 V SMD 0.0012 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 238 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TDSON-8 FL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja d...
Infineon
ISC012N04LM6ATMA1
od PLN 6,481*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 25 A D2PAK (TO-263) 600 V SMD 90 m.Ω (1 Oferta) 
Superwęzeł MOSFET Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 IPB60R090CFD7 w pakiecie D2PAK idealnie nadaje się do topologii dźwiękowych w wysokich mocach SMPS, takich jak stacje ładowania serwerów, telekomunikac...
Infineon
IPB60R090CFD7ATMA1
od PLN 6,777*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 250V; 215mA; Idm: 0,8A; 740mW (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 0,215A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,74W Polary...
Microchip Technology
TN5325N3-G
od PLN 1,89*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 250V; 10,1A; 160W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 10,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 160W Polaryzacja: unipol...
onsemi
FQD16N25CTM
od PLN 2,11*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 227 A PowerPAK SO-8DC 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 227 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8DC Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Roz...
Vishay
SIDR626EP-T1-RE3
od PLN 7,003*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 46A; 20W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 46A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 20W P...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD424G
od PLN 1,00*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 24 A D2PAK (TO-263) 650 V SMD 95 MO (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 24 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...
Infineon
IPB65R095C7ATMA2
od PLN 16,378*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 5A; 0,9W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,9W Po...
Alpha & Omega Semiconductor
AO3420
od PLN 0,216*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   701   702   703   704   705   706   707   708   709   710   711   ..   1526   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.