Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (22 882 ofert spośród 5 025 657 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 26 A D2PAK (TO-263) 600 V SMD 0.12 Ω (1 Oferta) 
Ten superwęzeł MOSFET Infineon 600V Cool MOS P7 nadal równowaga między potrzebą wysokiej wydajności a łatwością obsługi w procesie projektowania. Najlepszy w swojej klasie RonxA i niski poziom nała...
Infineon
IPB60R120P7ATMA1
od PLN 8,297*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 25V; 0,23A; 0,4W; SOT23; ESD (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 0,23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,4W Polaryzac...
Diodes
DMG301NU-13
od PLN 0,64*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 24 A TO-220AB 650 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 24 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
ROHM Semiconductor
R6524KNX3C16
od PLN 7,929*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 24 A D2PAK (TO-263) 650 V SMD Pojedynczy 192 W 150 miliomów (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 24 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystanc...
onsemi
NVB150N65S3F
od PLN 6,332*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 250V; 30A; 36W; TO220FP; 82ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220FP Czas gotowości: 82ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 36W P...
IXYS
IXFP30N25X3M
od PLN 15,31*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 243 A PowerPAK SO-8L 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 243 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementów na ...
Vishay
SQJ154EP-T1_GE3
od PLN 1,314*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 250V; 170A; 890W; TO247-3; 140ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 89...
IXYS
IXFH170N25X3
od PLN 53,74*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 26 A PowerDI3333-8 100 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 26 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PowerDI3333-8
Diodes
DMTH10H032LFVW-7
od PLN 0,838*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 25V; 100A; 121W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: PowerSO8;SOT1023;LFPAK56E Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,1mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 121...
Nexperia
PSMN1R2-25YL,115
od PLN 5,47*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 24 A TO-247 650 V 0.125 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 24 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = NTHL125N Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.1...
onsemi
NTHL125N65S3H
od PLN 18,418*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 24 A DPAK (TO-252) 200 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 24 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
AUIRFR4620TRL
od PLN 6,925*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 248 A PowerDI1012-8 100 V SMD 0.0025 O. (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET DiodesZetex serii DMTH10H2M5STLW został zaprojektowany w celu zminimalizowania oporu podczas pracy, utrzymania najwyższej wydajności przełączania, co czyni go idealnym rozwiązanie...
Diodes
DMTH10H2M5STLW-13
od PLN 9,706*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 250V; 170A; 890W; TO268HV; 140ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 89...
IXYS
IXFT170N25X3HV
od PLN 57,69*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 26 A PowerDI3333-8 100 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 26 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PowerDI3333-8
Diodes
DMTH10H032LFVWQ-7
od PLN 1,705*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRF6714MTRPBF
od PLN 23 890,992*
za 4 800 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   701   702   703   704   705   706   707   708   709   710   711   ..   1526   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.