 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 15,27*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 23,8 A TO-220 600 V 0.16 O. (1 Oferta) Seria CoolMOS firmy Infineon to rewolucyjna technologia dla tranzystorów MOSFET o wysokim napięciu zasilania, zaprojektowana zgodnie z zasadą SUPER JUJUNK (SJ) i pionierem technologii Infineon. Ser... |
|
od PLN 5,059*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,35*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 23 A TO-220 600 V 22 m.Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 23 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = IPP60R Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 22 m.... |
|
od PLN 32,882*
za szt. |
|
|
|
Infineon BSL802SNH6327XTSA1 |
od PLN 0,57*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 10,304*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 950 mA SOT-323 20 V SMD 0.45 O. (2 ofert) Tryb wzmocnienia kanału N DiodesZetex MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu (RDS(ON)), a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni go ideal... |
|
od PLN 0,134*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 25 A DPAK (TO-252) 60 V SMD 0.3 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 25 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = OptiMOS™ -T2 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źród... |
Infineon IPD25N06S4L30ATMA2 |
od PLN 1,644*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 230 A D2Pak 75 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 230 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 75 V Typ opakowania = D2Pak Typ montażu = Otwór przezierny |
|
od PLN 12,978*
za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOT20N25L |
od PLN 2,78*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 23 A TO-220FM 600 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 23 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-220FM Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Li... |
ROHM Semiconductor R6055VNXC7G |
od PLN 10,957*
za szt. |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 9,6A; 3W; DFN8 (1 Oferta) Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN8 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 9,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3W Pol... |
Alpha & Omega Semiconductor AON3402 |
od PLN 1,13*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 24 A PQFN4 8 x 8 650 V SMD 0.15 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 24 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = NTMT150N Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło ... |
|
od PLN 18,709*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,02*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,554*
za szt. |
|
|
