|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-2149093 Nr producenta:
IPP60R160P6XKSA1 EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Seria CoolMOS firmy Infineon to rewolucyjna technologia dla tranzystorów MOSFET o wysokim napięciu zasilania, zaprojektowana zgodnie z zasadą SUPER JUJUNK (SJ) i pionierem technologii Infineon. Seria CoolMOS P6 łączy w sobie doświadczenie wiodącego dostawcy SJ MOSFET z innowacjami wysokiej klasy. Oferowane urządzenia zapewniają wszystkie korzyści wynikające z szybkiego przełączania SJ MOSFET, nie tracąc przy tym łatwości obsługi. Wyjątkowo niskie straty w przełączaniu i przewodnictwie sprawiają, że aplikacje przełączające są jeszcze bardziej wydajne, bardziej kompaktowe, jaśniejsze i chłodniejsze.Łatwa obsługa/jazda Przeznaczone do zastosowań przemysłowych zgodnie z JEDEC (J-STD20 I JESD22) Bardzo wysoka wytrzymałość komutacyjna Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 23,8 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600 V | Typ opakowania: | TO-220 | Seria: | CoolMOS™ P6 | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.16 O. | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4.5V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Si |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 2149093, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPP60R160P6XKSA1 |
| | |
| |