Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (22 965 ofert spośród 4 920 325 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 204 A Moduł 1200 V Montaż na śrubie (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 204 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż na śrubie
ROHM Semiconductor
BSM180D12P2E002
od PLN 10 114,548*
za 4 szt.
 
 opakowanie
Infineon
IPP110N20NAAKSA1
od PLN 28,92*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 210 A TO-220AB 40 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 210 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = HEXFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba elemen...
Infineon
IRF2204PBF
od PLN 5,861*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 65A; 329W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 65A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 329W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M36BFLLG
od PLN 58,92*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A PowerPAK 10 x 12 650 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = PowerPAK 10 x 12 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów n...
Vishay
SIHK125N60E-T1-GE3
od PLN 14,446*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 9,45A; 90W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 9,45A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 90W Polaryz...
ST Microelectronics
STB19NF20
od PLN 2,15*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 204 A Taca 1200 V Montaż na śrubie (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 204 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = Taca Typ montażu = Montaż na śrubie
ROHM Semiconductor
BSM180C12P2E202
od PLN 9 795,402*
za 4 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 88A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W...
Infineon
IPB107N20NAATMA1
od PLN 24,37*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 214 A PowerPAK 1212-8SLW 40 V Montaż na płytce drukowanej (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 214 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8SLW Typ montażu = Montaż na płytce drukowanej Liczba styków = 8 Tryb kanał...
Vishay
SQS140ELNW-T1_GE3
od PLN 5 112,63*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 7,5A; Idm: 48A; 50W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 7,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FQPF19N20
od PLN 4,63*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A PQFN 3,3 mm x 3,3 mm 30 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PQFN 3,3 mm x 3,3 mm Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
IRFHM830TRPBF
od PLN 1,994*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 3,6A; Idm: 20A; 70W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 3,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 275mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 70W Polaryzacja: unipolar...
onsemi
FDD2670
od PLN 3,84*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 90A; 300W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzacja: unip...
IXYS
IXFR140N20P
od PLN 48,75*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 205 A PG-TSON SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 205 A Typ opakowania = PG-TSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
IQE013N04LM6ATMA1
od PLN 4,282*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 9,75A; 83W; DPAK (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 9,75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 83W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FQD18N20V2TM
od PLN 2,097*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   691   692   693   694   695   696   697   698   699   700   701   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.