Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (22 965 ofert spośród 4 920 325 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 215 A PowerDI5060-8 60 V SMD 0.0016 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 215 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = DMTH61M8SPS Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źród...
Diodes
DMTH61M8SPS-13
od PLN 4,113*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 75A; 125W; D2PAK,TO263 (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;TO263 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: un...
Vishay
SUM90140E-GE3
od PLN 5,022*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A SO-8 30 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
IRF7862TRPBF
od PLN 2,052*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 212 A TSDSON-8 FL 25 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 212 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = TSDSON-8 FL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ukł...
Infineon
BSZ010NE2LS5ATMA1
od PLN 6,137*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 96A; 600W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 96A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 600W Polaryzacja: unipolarny...
IXYS
IXFT96N20P
od PLN 25,21*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 205 A PowerDI5060-8 60 V SMD 0.0016 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 205 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = DMT61M8SPS Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Diodes
DMT61M8SPS-13
od PLN 7 708,475*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Infineon
IRF7480MTRPBF
od PLN 4,113*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A SO-8 30 V SMD 0.0036 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źró...
Infineon
IRF7831TRPBF
od PLN 2,929*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 33A; 357W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 357W Polaryzacja: unipol...
onsemi
FDP52N20
od PLN 5,32*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 214 A PowerPAK 1212-8SLW 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 214 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8SLW Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SQS140ENW-T1_GE3
od PLN 2,966*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 240 mA SC-75 20 V SMD Pojedynczy 300 mW 3,5 oma (2 ofert) 
N-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
onsemi
NTA4001NT1G
od PLN 0,224*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 205 A WHTFN 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 205 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = WHTFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 9 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
Infineon
SP005559058
od PLN 22 413,78*
za 6 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 0,25A; 0,15W; SOT723; ESD (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SOT723 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 0,25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,15W Polaryzacja: unip...
Toshiba
SSM3K37MFV,L3F
od PLN 0,74*
za 5 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 218 A PowerPAK SO-8DC 60 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 218 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8DC Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Vishay
SiDR626LEP-T1-RE3
od PLN 5,042*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 86A; 550W; TO263; 140ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 86A Rezystancja w stanie przewodzenia: 33mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 550W P...
IXYS
IXTA86N20T
od PLN 13,16*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   691   692   693   694   695   696   697   698   699   700   701   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.