Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (22 965 ofert spośród 4 920 325 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 21 A PowerPAK 10 x 12 650 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = PowerPAK 10 x 12 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów n...
Vishay
SIHK125N60E-T1-GE3
od PLN 7,532*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A DirectFET izometryczny 60 V SMD 0.036 Ω (1 Oferta) 
Seria tranzystorów MOSFET Infineon do zastosowań motoryzacyjnych DirectFET® charakteryzuje się maksymalnym napięciem źródła 60 V i maksymalnym prądem stałym 20 A w obudowie DirectFET Small CAN. AUI...
Infineon
AUIRF7640S2TR
od PLN 4,86*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 200 A LFPAK8 40 V SMD Pojedynczy 110 W 2,2 milioma (1 Oferta) 
Motoryzacyjny układ Power MOSFET w obudowie 5 x 6 mm z płaskimi wyprowadzeniami zaprojektowanej do kompaktowych i efektywnych konstrukcji i zapewniającej wysokie parametry termiczne. Opcja końcówek...
onsemi
NVMJS1D5N04CLTWG
od PLN 2,30*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A PQFN 3,3 mm x 3,3 mm 30 V (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PQFN 3,3 mm x 3,3 mm Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
IRFHM830TRPBF
od PLN 1,377*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 201 A PG-TO263-3 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 201 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-TO263-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerz...
Infineon
IPB011N04NF2SATMA1
od PLN 8,554*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;TO263 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: u...
Vishay
IRL640STRLPBF
od PLN 4,44*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A DPAK (TO-252) 150 V SMD 0.053 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Seria = OptiMOS™ 3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Infineon
IPD530N15N3GATMA1
od PLN 3,51*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 118ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W...
IXYS
IXTP60N20T
od PLN 14,07*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 200 mA SOT-23 50 V SMD 2.2 MO (1 Oferta) 
Mały sygnał ROHM MOSFET wyposażony w bardzo szybkie przełączanie. Jest on używany głównie w obwodzie przełączania, przełączniku obciążenia strony niskiej i sterowniku przekaźnika.Bez zawartości oło...
ROHM Semiconductor
RUC002N05HZGT116
od PLN 0,205*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 118ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W P...
IXYS
IXTA60N20T
od PLN 12,13*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRF7862TRPBF
od PLN 1,37*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: THT Obudowa: TO220AB;SOT78 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzacja...
Nexperia
PSMN057-200P,127
od PLN 7,44*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 201 A TO-220 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 201 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Infineon
SP005561927
od PLN 6,888*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 12,1A; Idm: 76A; 139W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 12,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 139W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FQB19N20CTM
od PLN 3,32*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A LFPAK, SOT-669 60 V SMD Pojedynczy 24 W 43 miliomy (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = LFPAK, SOT-669 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancj...
onsemi
NVMYS025N06CLTWG
od PLN 2,421*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   691   692   693   694   695   696   697   698   699   700   701   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.