Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (22 965 ofert spośród 4 920 325 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 60A; 540W; TO268; 330ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 330ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W P...
IXYS
IXTT60N20L2
od PLN 55,20*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 200 mA SOT-23 50 V SMD Pojedynczy 225 mW 3.5 Ω (1 Oferta) 
MOSFET o zasilaniu N-Channel, 50V, ON Semiconductor
onsemi
BSS138LT3G
od PLN 0,148*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 60A; 540W; TO3P; 330ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 330ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W Po...
IXYS
IXTQ60N20L2
od PLN 49,51*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A SO-8 30 V SMD 0.0036 Ω (1 Oferta) 
Seria MOSFET mocy HEXFET Infineon ma maksymalne napięcie źródła spustu 30 V w OBUDOWIE SO-8. Posiada zastosowanie synchronicznego konwertera typu buck o wysokiej częstotliwości do zastosowań w syst...
Infineon
IRF7831TRPBF
od PLN 7 636,84*
za 4 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 4,8 A DPAK (TO-252) 200 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
IRFR220PBF
od PLN 1,095*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 202 A TO-220 (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 202 A Typ opakowania = TO-220
Infineon
AUIRF1404
od PLN 16,414*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A PowerPAK 10 x 12 650 V Montaż na płytce drukowanej (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = PowerPAK 10 x 12 Typ montażu = Montaż na płytce drukowanej Liczba styków = 8 Tryb kanałow...
Vishay
SIHK125N60EF-T1GE3
od PLN 14,60*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 200 mA SOT-23 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 200 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = SN7002I Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Wyczerpanie Maksyma...
Infineon
SN7002IXTSA1
od PLN 0,865*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 21 A TO-220AB 600 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Li...
Vishay
SIHP155N60EF-GE3
od PLN 19,138*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 48A; 250W; TO263; 130ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 130ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W P...
IXYS
IXTA48N20T
od PLN 8,94*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 202 A TSDSON-8 FL 25 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 202 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = TSDSON-8 FL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ukł...
Infineon
BSZ011NE2LS5IATMA1
od PLN 7,19*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 13A; 100W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,105Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 100...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD2210
od PLN 3,07*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A SO-8 30 V SMD 0.0035 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0...
Infineon
IRF8734TRPBF
od PLN 1,881*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 67A; 370W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 67A Rezystancja w stanie przewodzenia: 38mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M38SVRG
od PLN 74,22*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 65A; Idm: 260A; 329W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 65A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 329W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M36BLLG
od PLN 44,95*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   691   692   693   694   695   696   697   698   699   700   701   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.