Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (22 965 ofert spośród 4 920 325 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 21 A TO-247AC 850 V 0.184 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.1...
Vishay
SIHG24N80AE-GE3
od PLN 10,882*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 203 A M0-299A 80 V SMD 0.0017 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 203 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = M0-299A Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren...
onsemi
NTBLS1D7N08H
od PLN 13,842*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 16A; 695W; TO268; 607ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 607ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 695W P...
IXYS
IXTT16N20D2
od PLN 34,97*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A TO-220AB 600 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Li...
Vishay
SIHP155N60EF-GE3
od PLN 11,372*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 6A; Idm: 38A; 72W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,36Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 72W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FQP10N20C
od PLN 2,66*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 200 mA TO-236 240 V SMD 4 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 200 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 240 V Seria = TN2404K Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Vishay
TN2404K-T1-E3
od PLN 3 767,40*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 21 A TO-252 150 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = TO-252
Diodes
DMT15H053SK3-13
od PLN 2,312*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 204 A PowerPAK SO-8DC 60 V SMD 0.0012 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor Vishay N-Channel 60 V (D-S) MOSFET ma typ pakietu PowerPAK SO-8DC.Układ mocy MOSFET TrenchFET® IV generacji Bardzo niska wartość FOM RDS-Qg Optymalizacja pod kątem najniższej wartości FO...
Vishay
SiDR626LDP-T1-RE3
od PLN 6,033*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 170A; 1150W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,15kW Polaryzacja: unipola...
IXYS
IXFK170N20T
od PLN 38,21*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A TO-247AC 600 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-247AC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Li...
Vishay
SIHG155N60EF-GE3
od PLN 22,108*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 74A; 403W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 74A Rezystancja w stanie przewodzenia: 34mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 403W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M34SLLG
od PLN 75,39*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 201 A PowerPAK SO-8L 25 V SMD 0.00074 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 201 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystanc...
Vishay
SiJA22DP-T1-GE3
od PLN 10,435*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 74A; Idm: 296A; 403W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 74A Rezystancja w stanie przewodzenia: 34mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 403W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M34BFLLG
od PLN 56,97*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A U-DFN2030 20 V SMD 0.0202 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Seria = DMN2024UFU Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Diodes
DMN2024UFU-7
od PLN 1,289*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 205 A PG-TTFN 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 205 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-TTFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
IQE013N04LM6CGATMA1
od PLN 7,461*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   691   692   693   694   695   696   697   698   699   700   701   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.