Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (22 882 ofert spośród 5 025 728 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 235 A DFN8 5 x 6 60 V SMD Pojedynczy 166 W 2,3 milioma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 235 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = DFN8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja d...
onsemi
NTMFSC1D6N06CL
od PLN 7,705*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 3,9A; Idm: 15A; 0,48W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 3,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,48W Polaryzacja: unipola...
Vishay
SI2312BDS-T1-GE3
od PLN 0,99*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21,2 A PowerDI3333-8 40 V SMD 0.02 O. (1 Oferta) 
Tryb wzmocnienia kanału N DiodesZetex MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu (RDS(ON)), a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni go ideal...
Diodes
DMT4015LDV-7
od PLN 1,175*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 2,6A; Idm: 30A; 700mW; SOT323 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT323 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 2,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża motoryz...
Diodes
DMN2065UWQ-7
od PLN 0,36*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A TO-220AB 600 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Li...
Vishay
SIHP155N60EF-GE3
od PLN 18,998*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 22 A TO-247 700 V 0,11 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 22 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,1...
Infineon
IPW65R110CFD7XKSA1
od PLN 6,926*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPW60R037CSFDXKSA1
od PLN 28,724*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 35A; 100W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 100W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD424
od PLN 1,55*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 210 A D2PAK (TO-263) 55 V SMD 3.3 MO (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET mocy Infineon HEXFET® wykorzystuje najnowsze techniki przetwarzania, aby osiągnąć bardzo niską odporność na każdy obszar krzemu. Dodatkowe zalety tej konstrukcji to temperatura ro...
Infineon
IRF3805STRLPBF
od PLN 6,55*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A TO-247AC 850 V 0.184 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.1...
Vishay
SIHG24N80AE-GE3
od PLN 6,022*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 22 A TO-247AC 650 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 22 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247AC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Li...
Vishay
SIHG150N60E-GE3
od PLN 230,30*
za 25 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 237 A HSOF-8 120 V SMD 0,003 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 237 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 120 V Seria = OptiMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Infineon
IPT030N12N3GATMA1
od PLN 8,997*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 210 A PowerPAK SO-8L 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 210 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ...
Vishay
SQJ182EP-T1_GE3
od PLN 4,277*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 20A; 11W; DFN8; 3x3mm (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN8 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 11W Po...
Alpha & Omega Semiconductor
AON7404G
od PLN 0,83*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A TO-252 150 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = TO-252
Diodes
DMT15H053SK3-13
od PLN 3 528,40*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   691   692   693   694   695   696   697   698   699   700   701   ..   1526   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.