Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 896 ofert spośród 4 927 199 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolarny; 60V; 35A; 30W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryzac...
ST Microelectronics
STP55NF06FP
od PLN 2,34*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 85 A Uce 650 V 4 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 85 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 4
Infineon
F3L150R07W2H3B11BPSA1
od PLN 314,688*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™; unipolarny; 200V; 25A; 40W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryza...
ST Microelectronics
STF40NF20
od PLN 7,22*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 36-pinowy 2 A SOIC-36 2ED020I12F2XUMA1 CMOS 5.5V (1 Oferta) 
Typ układu logicznego = CMOS Prąd wyjściowy = 2 A Napięcie zasilania = 5.5V Liczba styków = 36 Czas zanikania = 50ns
Infineon
2ED020I12F2XUMA1
od PLN 12,842*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Trench™; unipolarny; 100V; 160A; 430W; 60ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 60ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 160A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 430W ...
IXYS
IXTP160N10T
od PLN 9,96*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 36-pinowy 2 A SOIC-36 2ED020I12F2XUMA1 CMOS 5.5V (1 Oferta) 
Typ układu logicznego = CMOS Prąd wyjściowy = 2 A Napięcie zasilania = 5.5V Liczba styków = 36 Typ opakowania = SOIC-36ns
Infineon
2ED020I12F2XUMA1
od PLN 13,56*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; 20V; 3,6A; 1W (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 3,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL2300A
od PLN 0,87*
za 10 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolarny; 60V; 35A; 80W; DPAK (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 80W Polaryzacja:...
ST Microelectronics
STD35NF06LT4
od PLN 2,696*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 900 A Uce 1200 V 2 5,1 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 900 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 5,1 kW
Infineon
FF900R12IP4BOSA2
od PLN 2 459,164*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™; unipolarny; 60V; 50A; Idm: 280A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 33W Polaryza...
ST Microelectronics
STF140N6F7
od PLN 4,93*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 36-pinowy 5 mA DSO 1EDI2002ASXUMA2 4.65 → 18V (1 Oferta) 
Prąd wyjściowy = 5 mA Napięcie zasilania = 4.65 → 18V Liczba styków = 36 Typ opakowania = DSOns
Infineon
1EDI2002ASXUMA2
od PLN 18,87167*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 0,2A; 33W; TO220AB; 1,6us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 1,6µs Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 0,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 33W...
IXYS
IXTP02N120P
od PLN 5,46*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 36-pinowy 5 mA DSO 1EDI2002ASXUMA2 4.65 → 18V (1 Oferta) 
Prąd wyjściowy = 5 mA Napięcie zasilania = 4.65 → 18V Liczba styków = 36 Typ opakowania = DSOns
Infineon
1EDI2002ASXUMA2
od PLN 29,25*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; 30V; 4,5A; 1,2W (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 51mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,2W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL3400A
od PLN 2,36*
za 20 szt.
 
 opakowanie
Moduł tranzystorowy IGBT Ic 95 A Uce 650 V ACEPACK 2 275 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 95 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 275 W Konfiguracja = Zestaw 6
Infineon
FS75R07W2E3B11ABOMA1
od PLN 195,849*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   501   502   503   504   505   506   507   508   509   510   511   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.