Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 896 ofert spośród 4 927 199 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 6,5 A SOIC NCD57090DDWR2G 20V (1 Oferta) 
Prąd wyjściowy = 6,5 A Napięcie zasilania = 20V Liczba styków = 8 Typ opakowania = SOICns
onsemi
NCD57090DDWR2G
od PLN 5,698*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; 150V; 1,2A; Idm: 6A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: TSOP6 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 1,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,375Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,59W Polaryzacja: unip...
Vishay
SI3440DV-T1-GE3
od PLN 1,39*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny niskonasyceniowy NPN PowerDI3333-8 40 V Montaż powierzchniowy 2 A DXTN22040CFGQ-7 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 2 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 40 V Typ opakowania = PowerDI3333-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prądu DC...
Diodes
DXTN22040CFGQ-7
od PLN 0,867*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 800V; 2,8A; Idm: 18A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 2,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 85W Polaryz...
ST Microelectronics
STP6N80K5
od PLN 4,22*
za szt.
 
 szt.
Siemens
6ES7132-6BH01-0BA0
od PLN 337,64*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 800V; 8,8A; 190W (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 8,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W Polaryza...
ST Microelectronics
STW15N80K5
od PLN 11,481*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 6,5 A SOIC NCD57090EDWR2G 20V (1 Oferta) 
Prąd wyjściowy = 6,5 A Napięcie zasilania = 20V Liczba styków = 8 Czas zanikania = 13ns
onsemi
NCD57090EDWR2G
od PLN 6,844*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 700ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W...
IXYS
IXTP3N120
od PLN 20,32*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 6,5 A SOIC NCV57080BDR2G 22V (1 Oferta) 
ON Semiconductor NCD57080B to jednokanałowy sterownik bramki IGBT o wysokim natężeniu, wyposażony w wewnętrzną izolację galwaniczną 3.75 kVrms, zaprojektowany z myślą o wysokiej wydajności i niezaw...
onsemi
NCV57080BDR2G
od PLN 4,08*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; 240V; 0,16A; 0,23W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 240V Prąd drenu: 0,16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,23W Polaryzacja: unipola...
Vishay
TN2404K-T1-E3
od PLN 1,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny niskonasyceniowy NPN SOT-563 12 V Montaż powierzchniowy 500 mA EMX18T2R (2 ofert) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 500 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 12 V Typ opakowania = SOT-563 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prądu DC = ...
ROHM Semiconductor
EMX18T2R
od PLN 2,03*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 800V; 7,6A; 35W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 7,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35W Polary...
ST Microelectronics
STF13N80K5
od PLN 9,01*
za szt.
 
 szt.
Siemens
6ES7132-6BF00-0CA0
od PLN 246,27*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 950V; 11A; 250W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 950V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryza...
ST Microelectronics
STW22N95K5
od PLN 18,38*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 6,5 A SOIC NCV57090ADWR2G 22V (1 Oferta) 
Prąd wyjściowy = 6,5 A Napięcie zasilania = 22V Liczba styków = 8 Czas zanikania = 13ns
onsemi
NCV57090ADWR2G
od PLN 8,698*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   501   502   503   504   505   506   507   508   509   510   511   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.