Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 896 ofert spośród 4 927 199 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Płytka ewaluacyjna Infineon Sterownik bramki IGBT Płytka ewaluacyjna CAV, napędy, zasilacz, Solar (1 Oferta) 
Funkcja zarządzania mocą = Sterownik bramki IGBT Do użytku z = CAV, napędy, zasilacz, Solar Rodzaj zestawu = Płytka ewaluacyjna Symbol układu = 2ED020I12-F2 Nazwa zestawu = EVAL-2ED020I12-F2
Infineon
EVAL2ED020I12F2TOBO1
od PLN 384,866*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™; unipolarny; 200V; 25A; 160W; TO247 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: STMicroelectronics M...
ST Microelectronics
STW40NF20
od PLN 10,03*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Uce 1200 V AG-ECONO2B-411 (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20.0V Typ opakowania = AG-ECONO2B-411
Infineon
FS75R12KT4B15BPSA1
od PLN 448,679*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolarny; 600V; 0,76A; 27W (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: STMicroelectronics M...
ST Microelectronics
STU1HN60K3
od PLN 0,82*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 6 A DSO-8 1EDI10I12MFXUMA1 CMOS 15V (1 Oferta) 
Typ układu logicznego = CMOS Prąd wyjściowy = 6 A Napięcie zasilania = 15V Liczba styków = 8 Typ opakowania = DSO-8ns
Infineon
1EDI10I12MFXUMA1
od PLN 3,586*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 15A; Idm: 90A; 1,04kW (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT22F120L
od PLN 61,39*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 6 A PG-DSO-8-51 1EDI20I12MFXUMA1 CMOS 18V (2 ofert) 
Typ układu logicznego = CMOS Prąd wyjściowy = 6 A Napięcie zasilania = 18V Liczba styków = 8 Typ opakowania = PG-DSO-8-51ns
Infineon
1EDI20I12MFXUMA1
od PLN 2,896*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolarny; 60V; 14A; 22,5W (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 22,5W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJD20N06A
od PLN 2,39*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Płytka ewaluacyjna Infineon Sterownik bramki IGBT Płytka ewaluacyjna Przetwornica DC-DC, napędy, UPS, spawanie (1 Oferta) 
Funkcja zarządzania mocą = Sterownik bramki IGBT Do użytku z = Przetwornica DC-DC, napędy, UPS, spawanie Rodzaj zestawu = Płytka ewaluacyjna Symbol układu = 1EDS20I12SV Nazwa zestawu = EVAL-1EDS20I...
Infineon
EVAL1EDS20I12SVTOBO2
od PLN 770,253*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRF300P227
od PLN 17,026*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Uce 1200 V Q0BOOST Dwa kanał: N 186 W (1 Oferta) 
NXH100B120H3Q0 to moduł zasilający z podwójnym etapem podniesienia napięcia zawierający dwa układy IGBT 50A/1200 V, dwie diody SIC 20A/1200 V i dwie diody zapobiegające połączeniu równoległemu 25 A...
onsemi
NXH100B120H3Q0STG
od PLN 292,724*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolarny; 950V; 4,5A; 150W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 950V Prąd drenu: 4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryz...
ST Microelectronics
STW7N95K3
od PLN 5,78*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 6 A PG-DSO-8-51 1EDI60I12AFXUMA1 CMOS 15V (1 Oferta) 
Typ układu logicznego = CMOS Prąd wyjściowy = 6 A Napięcie zasilania = 15V Liczba styków = 8 Typ opakowania = PG-DSO-8-51ns
Infineon
1EDI60I12AFXUMA1
od PLN 4,598*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 16A; Idm: 105A; 1135W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,58Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1135W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT26F120L
od PLN 110,83*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 6,5 A SOIC NCD57080BDR2G 22V (1 Oferta) 
ON Semiconductor NCD57080B to jednokanałowy sterownik bramki IGBT o wysokim natężeniu, wyposażony w wewnętrzną izolację galwaniczną 3.75 kVrms, zaprojektowany z myślą o wysokiej wydajności i niezaw...
onsemi
NCD57080BDR2G
od PLN 3,976*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   501   502   503   504   505   506   507   508   509   510   511   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.