Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 896 ofert spośród 4 927 199 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł tranzystorowy IGBT Ic 40 A Uce 650 V 2 PG-TO247-3 250 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Maksymalna strata mocy = 250 W Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IKW40N65RH5XKSA1
od PLN 514,53*
za 30 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 9A; Idm: 50A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT13F120B
od PLN 42,35*
za szt.
 
 szt.
Moduł tranzystorowy IGBT Ic 40 A Uce 650 V 2 PG-TO247-3 250 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Maksymalna strata mocy = 250 W Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IKW40N65RH5XKSA1
od PLN 19,249*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 15A; 320W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,55Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 320W Polaryzacja: un...
IXYS
IXFR26N120P
od PLN 127,35*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny niskonasyceniowy PNP SOT-223 (SC-73) -80 V Montaż powierzchniowy -1 A BCP5616TTC (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -1 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -80 V Typ opakowania = SOT-223 (SC-73) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prąd...
Diodes
BCP5616TTC
od PLN 1 071,96*
za 4 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; 40V; 42A; 35W (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 42A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35W Polaryzacj...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJD60N04A
od PLN 2,39*
za 5 szt.
 
 opakowania
Moduł sterownika IGBT 36-pinowy 2 A SOIC-36 2ED020I12FAXUMA2 CMOS 20V (1 Oferta) 
Typ układu logicznego = CMOS Prąd wyjściowy = 2 A Napięcie zasilania = 20V Liczba styków = 36 Czas zanikania = 350ns
Infineon
2ED020I12FAXUMA2
od PLN 32,319*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolarny; 100V; 2,4A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT89 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 2,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 4W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJH03N10A
od PLN 1,26*
za 5 szt.
 
 opakowania
Moduł tranzystorowy IGBT Ic 50 A Uce 650 V 2 PG-TO247-3 274 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Liczba tranzystorów = 2 Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65SS5XKSA1
od PLN 775,02*
za 30 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 2,5A; 110W; ISO247™; 900ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISO247™ Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 2,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W...
IXYS
IXTJ4N150
od PLN 29,61*
za szt.
 
 szt.
Moduł tranzystorowy IGBT Ic 50 A Uce 650 V 2 PG-TO247-3 274 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Maksymalna strata mocy = 274 W Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65SS5XKSA1
od PLN 30,393*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 15A; Idm: 90A; 1,04kW (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,63Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT24M120L
od PLN 75,89*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny NPN LFPAK4 100 V DC Montaż powierzchniowy 3 A NJVMJK31CTWG (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 3 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 100 V DC Typ opakowania = LFPAK4 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementó...
onsemi
NJVMJK31CTWG
od PLN 12,16*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolarny; 100V; 10,5A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 10,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 22,5W Polar...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJD15N10A
od PLN 2,49*
za 5 szt.
 
 opakowania
Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 1,9 A SOIC NCD57201DR2G 20V (1 Oferta) 
Prąd wyjściowy = 1,9 A Napięcie zasilania = 20V Liczba styków = 8 Typ opakowania = SOICns
onsemi
NCD57201DR2G
od PLN 3,807*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   501   502   503   504   505   506   507   508   509   510   511   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.