Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 896 ofert spośród 4 927 199 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; Trench; unipolarny; 60V; 0,17A; Idm: 0,9A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT23;TO236AB Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,31W Polaryzac...
Nexperia
2N7002NXBKR
od PLN 0,189*
za szt.
 
 szt.
Płytka ewaluacyjna Infineon Sterownik bramki IGBT Płytka ewaluacyjna Sterowanie silnikiem i napędy (1 Oferta) 
Funkcja zarządzania mocą = Sterownik bramki IGBT Do użytku z = Sterowanie silnikiem i napędy Rodzaj zestawu = Płytka ewaluacyjna Symbol układu = 2ED2106S06F, EVAL-M1-101T Nazwa zestawu = EVAL-M1-2E...
Infineon
EVALM12ED2106STOBO1
od PLN 1 025,462*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolarny; 525V; 2A; 45W; IPAK (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: IPAK Napięcie dren-źródło: 525V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 45W Polaryzacja:...
ST Microelectronics
STU4N52K3
od PLN 0,99*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Uce 2 V PG-TO247-3 Pojedynczy kanał: N 833 W (1 Oferta) 
Infineon IGBT posiada technologię TRENCHSTOP i Field stop do zastosowań motoryzacyjnych 600V oferuje bardzo mały rozkład parametrów, wysoką wytrzymałość, stabilizację temperatury i bardzo wysoką pr...
Infineon
AIKQ120N60CTXKSA1
od PLN 43,497*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 800V; 12,3A; 250W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 12,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polary...
ST Microelectronics
STW25N80K5
od PLN 14,26*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 6,5 A SOIC NCD57090ADWR2G 22V (1 Oferta) 
Prąd wyjściowy = 6,5 A Napięcie zasilania = 22V Liczba styków = 8 Typ opakowania = SOICns
onsemi
NCD57090ADWR2G
od PLN 7,791*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 24A; 520W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i5-pac™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,34Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polaryzacja...
IXYS
IXFL32N120P
od PLN 182,33*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 6,5 A SOIC NCD57090BDWR2G 22V (1 Oferta) 
ON Semiconductor NCD57090 to jednokanałowy sterownik bramki IGBT/MOSFET o wysokim natężeniu, z wewnętrzną izolacją galwaniczną 5 kVrms, zaprojektowany z myślą o wysokiej wydajności i niezawodności ...
onsemi
NCD57090BDWR2G
od PLN 5 595,35*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; Trench; unipolarny; 60V; 0,245A; Idm: 1,2A (2 ofert) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT23;TO236AB Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,245A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,2W Polaryzacja...
Nexperia
2N7002BK,215
od PLN 0,188*
za szt.
 
 szt.
Płytka ewaluacyjna onsemi IGBT Płytka ewaluacyjna FOD8333 (1 Oferta) 
Funkcja zarządzania mocą = IGBT Do użytku z = FOD8333 Rodzaj zestawu = Płytka ewaluacyjna Nazwa zestawu = Output Current IGBT Drive Optocouplers
onsemi
FEBFOD8333-GEVB
od PLN 442,744*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolarny; 620V; 3A; 30W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 620V Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryzac...
ST Microelectronics
STP6N62K3
od PLN 2,20*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Uce 600 V 6 SDIP2B-26L TYP X Izolacja kanał: N (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 5V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = SDIP2B-26L TYP X Typ montażu = Otwór przezierny Typ kanału = N Konfigurac...
ST Microelectronics
STGIB10CH60TS-X
od PLN 54,426*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 800V; 6A; 110W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W Polaryza...
ST Microelectronics
STP7N80K5
od PLN 4,023*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 6,5 A SOIC NCD57090CDWR2G 22V (1 Oferta) 
Prąd wyjściowy = 6,5 A Napięcie zasilania = 22V Liczba styków = 8 Typ opakowania = SOICns
onsemi
NCD57090CDWR2G
od PLN 8,043*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 3,5A; Idm: 14A; 135W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 3,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 135W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1204R7SFLLG
od PLN 46,77*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   501   502   503   504   505   506   507   508   509   510   511   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.